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Anterwell Technology Ltd.

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MissSharon Yang

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100V 80A, transistor do Mosfet do poder 9mз qualificou à capacidade FDB3632 da CEA Q101 UIS

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Número de modelo :FDB3632

Lugar de origem :Tailândia

Quantidade de ordem mínima :20pcs

Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :5200PCS

Tempo de entrega :dia 1

Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes

Drene à tensão da fonte :100 v

Porta à tensão da fonte :±20 V

Contínuo (T 80 A.A. < 111oC, VGS = 10V) :80 A

Contínuo (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W) :12 A

Única energia da avalancha do pulso (nota 1) :393 mJ

Dissipação de poder :310 W

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FDB3632/FDP3632/FDI3632

MOSFET 100V de PowerTrench® do N-canal, 80A, 9mΩ

Características

• RDS (SOBRE) = 7.5mΩ (tipo.), VGS = 10V, identificação = 80A

• Qg (pequeno) = 84nC (tipo.), VGS = 10V

• Baixa carga de Miller

• Baixo diodo do corpo de QRR

• Capacidade de UIS (único pulso e pulso repetitivo)

• Qualificado ao tipo desenvolvente 82784 da CEA Q101 anteriormente

Aplicações

• Conversores de DC/DC e UPS autônomo

• Arquiteturas distribuídas e VRMs do poder

• Interruptor preliminar para os sistemas 24V e 48V

• Retificador síncrono de alta tensão

• Injeção direta/sistemas de injeção diesel

• controle de carga 42V automotivo

• Sistemas eletrônicos do trem de válvula

Etiquetas de Produtos:

uln2803 ic

nec lt280

power igbt datasheet

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