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8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED

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Número de modelo :HFA08TB60
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :290pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
VR :600 V
VF em 8 A no °C 25 :1,7 V
SE (AVOIRDUPOIS) :8 A
trr (típico) :18 ns
TJ (máximo) :°C 150
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8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFREDCARACTERÍSTICAS

• Recuperação Ultrafast

• Recuperação Ultrasoft

• IRRM muito baixo

• Qrr muito baixo

• Especificado em condições operacionais

• Projetado e qualificado para o nível industrial

BENEFÍCIOS

• IRF e IEM reduzidos

• Perda de poder reduzida no diodo e no transistor de interruptor

• Operação mais alta da frequência

• Desprezar reduzido

• Contagem reduzida das peças

 

DESCRIÇÃO

HFA08TB60 é um diodo ultrafast avançado da recuperação. Empregando o mais atrasado na construção epitaxial e em técnicas de processamento avançadas caracteriza uma combinação magnífica de características que conduzem ao desempenho que é absoluto por todo o retificador previamente disponível. Com avaliações básicas de 600 V e da corrente contínua de 8 A, o HFA08TB60 é especialmente bom - serido para o uso como o diodo do companheiro para IGBTs e MOSFETs. Além do que o tempo de recuperação ultrafast, a linha de produtos de HEXFRED® caracteriza extremamente - os baixos valores da recuperação máxima atuais (IRRM) e não exibe nenhuma tendência “pressão-fora” durante a parcela da TB de recuperação. As características de HEXFRED combinam para oferecer a desenhistas um retificador com mais baixo ruído e para abaixar significativamente perdas do interruptor no diodo e no transistor de interruptor. Estas vantagens de HEXFRED podem ajudar a reduzir significativamente desprezar, contagem componente e tamanhos do dissipador de calor. O HEXFRED HFA08TB60 é serido idealmente para aplicações em fontes de alimentação e sistemas de conversão do poder (tais como inversores), movimentações do motor, e muitas outras aplicações similares onde a alta velocidade, eficiência elevada é precisada.

 

 

SUMÁRIO DO PRODUTO
V 600 V
VF em 8 A no °C 25 1,7 V
F(AVOIRDUPOIS)  8 A
trr (típico)  18 ns
TJ (máximo)  °C 150
Qrr (típico) 65 nC
dI (rec) M/dt (típicos) 240 A/µs

 

Diodo macio Ultrafast da recuperação, 8 A

8 um transistor macio Ultrafast HFA08TB60 do Mosfet do poder do diodo da recuperação de HEXFRED

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