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Correntes Tl084idr da polarização e do offset da entrada da microplaqueta da eletrônica CI dos amplificadores operacionais da Jfet-entrada baixas

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Correntes Tl084idr da polarização e do offset da entrada da microplaqueta da eletrônica CI dos amplificadores operacionais da Jfet-entrada baixas

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Número de modelo :TL084IDR
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :290pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão de fonte, VCC+ (veja a nota 1) :18 V
Tensão de fonte VCC− (veja a nota 1) :- 18 V
Tensão de entrada diferencial, VID (veja a nota 2) :± 30 V
Tensão de entrada, VI (veja as notas 1 e 3) :±15 V
Variação da temperatura do armazenamento :− 65 a °C 150
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♦ Baixo Consumo de Energia

♦ Ampla Common-Mode e faixas de tensão Diferencial

♦ Low Input Bias e Offset Currents

♦ saída Curto-circuito proteção

♦ baixa distorção harmônica total. . . 0,003% Typ

♦ alta impedância de entrada. . . Stage JFET-Entrada

♦ Operação Trava-Up-Free

♦ Alta Taxa de excursão. . . 13 V / ms Typ

♦ Faixa de tensão de entrada de modo comum Inclui VCC +

Descrição / informações sobre pedidos

A família amplificador operacional JFET-entrada TL08x é projetado para oferecer uma seleção mais ampla do que qualquer família amplificador operacional desenvolvido anteriormente. Cada um desses amplificadores operacionais JFET-entrada incorpora bem combinado, JFET de alta tensão e transistores bipolares em um circuito integrado monolítico. Os dispositivos possuem altas taxas de rotação, baixa polarização de entrada e compensar as correntes e baixo coeficiente de temperatura tensão offset. opções de ajuste de offset e compensação externa estão disponíveis dentro da família TL08x. Os dispositivos C-sufixo são caracterizados para a operação de 0 ° C a 70 ° C. Os dispositivos de I-sufixo são caracterizados para a operação de -40 ° C a 85 ° C. Os dispositivos de Q-sufixo são caracterizados para a operação de -40 ° C a 125 ° C. Os dispositivos de H-sufixo são caracterizados para operação durante o intervalo de temperaturas militar total de -55 ° C a 125 ° C.

esquemático (cada amplificador)

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