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Família dos amplificadores operacionais Tl7757cdr fonte a rendimento elevado larga da movimentação da largura de banda da única

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Família dos amplificadores operacionais Tl7757cdr fonte a rendimento elevado larga da movimentação da largura de banda da única

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Número de modelo :TL7757CDR
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :3800pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão de fonte :17 V
Variação da temperatura de funcionamento do livre-ar, Ta: Sufixo de C :0°C a 70°C
Variação da temperatura de funcionamento do livre-ar, Ta: Eu suffix :°C −40 a 125°C
Temperatura de junção máxima, TJ :°C 150
Variação da temperatura do armazenamento, Tstg :−65°C a 150°C
Conduza a temperatura 1,6 milímetros (1/16 de polegada) do argumento por 10 segundos :260°C
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FAMÍLIA DE WIDE-largura de banda de alto débito-DRIVE AMPLIFICADORES OPERACIONAIS prestação única

* Largura de banda larga. . . 10 MHz

* High Output unidade

- I OH. . . 57 mA a V DD - 1,5 V Amplificador Operacional

- I Ol. . . 55 mA a 0,5 V

* Alta Taxa de excursão

- SR +. . . 16 V / ms

- SR-. . . 19 V / ms

* Vasta gama de alimentação. . . 4.5 V to 16 V

* Corrente de suprimento. . . 1,9 mA / Canal

* Modo de Desligamento Ultralow Poder

I DD. . . 125 mA / Canal

* Baixa Tensão ruído de entrada. . . 8,5 nV√Hz

* Decalagem de entrada Tensão. . . 60 mV

* Ultra-pacotes pequenos

- 8 ou 10 Pin MSOP (TLC080 / 1/2/3)

Descrição

Os primeiros membros da nova general-purpose família amplificador operacional BiMOS de TI são o TLC08x. O conceito de família BiMOS é simples: fornecer um caminho de atualização para usuários BiFET que estão se afastando de dual-alimentação para sistemas de alimentação única e exigir maior ac dc e desempenho. Com um desempenho classificado de 4,5 V a 16 V através comercial (0 ° C a 70 ° C) e uma gama de temperatura alargada industrial (-40 ° C a 125 ° C), se adapte BiMOS uma vasta gama de áudio, automóvel, industrial, e aplicações de instrumentação. Recursos conhecidos como pinos anulamento offset, e novos recursos, como pacotes de MSOP PowerPad TM e modos de desligamento, permitir altos níveis de desempenho em uma variedade de aplicações.

Desenvolvido em processo patenteado de LBC3 BiCMOS de TI, os novos BIMOS amplificadores combinar uma impedância de entrada muito elevada, baixo ruído CMOS front-end com um estágio de saída bipolar de alta movimentação, proporcionando assim as características de desempenho ideais de ambos. melhorias de desempenho AC ao longo dos antecessores TL08x BiFET incluem uma largura de banda de 10 MHz (um aumento de 300%) e ruído de tensão de 8,5 NV / √HZ (melhora de 60%). Melhorias DC incluem um ICR assegurada V que inclui solo, um fator de 4 redução na entrada de tensão de deslocamento para baixo para 1,5 mV (máximo) no grau padrão, e uma melhoria rejeição fornecimento de energia superior a 40 dB a 130 dB. Adicionado a esta lista de características impressionantes é a capacidade de conduzir ± 50 mA cargas confortavelmente a partir de um pacote de PowerPad MSOP ultrasmall-footprint, que posiciona o TLC08x como o de alto desempenho ideal da família amplificador operacional de propósito geral.

classificações máximas absolutas mais operando faixa de temperatura ao ar livre (salvo indicação em contrário) †

Tensão de alimentação, V DD (ver nota 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 V

Faixa de tensão de entrada diferencial, V ID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± V DD

Contínua dissipação de potência total. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Veja dissipação Avaliação Tabela

Gama de temperatura ao ar livre, T A: sufixo C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 ° C a 70 ° C

I sufixo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 ° C a 125 ° C

Temperatura de junção máxima, T J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,150 ° C

Faixa de temperatura de armazenamento, Tstg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 ° C a 150 ° C

temperatura chumbo 1,6 mm (1/16 polegada) do caso durante 10 segundos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 ° C

† Salienta, além dos listados em "classificações máximas absolutas" pode causar danos permanentes ao dispositivo. Estes são apenas classificações de estresse e operação funcional do dispositivo para estes ou quaisquer outras condições para além dos indicados em "recomendado condições de funcionamento" não está implícita. Exposição a condições absoluto-máximo-rated por longos períodos pode afetar a confiabilidade do dispositivo.

NOTA 1: Todos os valores de tensão, excepto tensões diferenciais, são em relação ao GND.

TABELA DISSIPAÇÃO RATING

PACOTE θ JC (° C / W) θ JA (° C / W) T A ≤ 25 ° C Classificação da energia
D (8) 38,3 176 710 mW
D (14) 26,9 122,3 1,022 mW
D (16) 25,7 114,7 1,090 mW
DGN (8) 4,7 52,7 2,37 W
DGQ (10) 4,7 52,3 2,39 W
N (14, 16) 32 78 1,600 mW
P (8) 41 104 1200 mW
PWP (20) 1,40 26,1 4,79 W

Condições de operação recomendadas

MÍNIMO MÁXIMO UNIDADE
Tensão de alimentação, V DD prestação única 4.5 16 V
fornecimento de Split ± 2,25 ± 8
Tensão de entrada de modo comum, V ICR GND VDD -2 V
Shutdown on / off nível ‡ tensão V IH 2 V
V IL 0,8
Temperatura de funcionamento ao ar livre, T A C-sufixo 0 70 ° C
I-sufixo -40 125

‡ Relativa à tensão no terminal GND do dispositivo.

INFORMAÇÃO DE APLICAÇÃO

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