
Add to Cart
Processadores de sinal DIGITAL
* Poderoso TMS320C5x de 16-Bit CPU
* 20, 25, 35-e do único-ciclo de 50-ns
Tempo de execução de instrução para operação 5-V
* 25 - 40- e 50-ns do único-ciclo de instrução
Tempo de execução de operação 3-V
* Single-ciclo 16 × 16-Bit multiplique/adicionar
* 224 K × 16-Bit máximo endereçável
Espaço de memória externa (programa de 64K, 64K
32K, 64K i/o e dados globais)
* 2K, 4K, 8K, 16K, K 32 × 16-Bit Single-acesso
Programa ROM em-microplaqueta
* 1K, 3K, 6K, K 9 × 16-Bit Single-acesso
Dados do programa/RAM (SARAM) em-microplaqueta
* 1K Dual-acesso no Chip/dados do programa
RAM (LIMA)
* Full-Duplex síncrono Serial Port para
Interface de codificador/decodificador
* Tempo-divisão-multiplexados (TDM) Serial Port
* Capacidade de geração de Estados de espera hardware ou Software
* Temporizador para controle de operações em-microplaqueta
* Repita as instruções para o uso eficiente do espaço de programa
* Buffer de porta Serial
* Interface de porta host
* Múltiplos Phase-Locked Loop (PLL)
Opções de temporização (× 1 × 2 × 3, × 4, × 5, × 9 dependendo do dispositivo)
* Bloco move-se para o gerenciamento de dados/programa
* Emulação baseada em varredura lógica em-microplaqueta
* Limite de varredura
* Cinco opções de embalagem
-100-pin Quad Flat Package (sufixo PJ)
-100-pin fina Quad Flat Package (sufixo PZ)
-128-pino fino Quad Flat Package (sufixo PBK)
-132-pino Quad Flat Package (PQ sufixo)
-144 pinos fino Quad Flat Package (PGE sufixo)
* Baixa dissipação de potência e modos de desligamento:
– 47 mA (2,35 mA/MIP) com 5 V, Clock de 40 MHz (média)
– 23 mA (1,15 mA/MIP) a 3 V, Clock de 40 MHz (média)
– 10 mA a 5 V, Clock de 40 MHz (modo IDLE1)
-3 mA a 5 V, Clock de 40 MHz (modo IDLE2)
– 5 µA em 5 V, relógios (modo IDLE2)
* Alta Performance estática CMOS tecnologia
* IEEE Standard 1149.1† teste-acesso Porto (JTAG)
Descrição
A geração de TMS320C5x das Texas Instruments (TITM) TMS320 processadores de sinal digital (DSPs) é fabricada com tecnologia de circuito integrado CMOS estática; o projeto arquitetônico baseia-se em cima de um DSP TI anteriores, o TMS320C25. A combinação de avançada arquitetura de Harvard, periféricos no chip, no chip de memória e um conjunto de instruções altamente especializada é a base da flexibilidade operacional e velocidade do ' C5x‡ de dispositivos. Eles executam até 50 milhões de instruções por segundo (MIPS).
O ' C5x dispositivos oferecem essas vantagens:
TMS320C50, TMS320LC50, TMS320C51, TMS320LC51, TMS320C53, TMS320LC53
PQ PACOTE
(VISTA SUPERIOR)
avaliações máximas absolutas sobre a faixa de temperatura de ar ambiente de funcionamento (a menos que indicado em contrário) («320C5x só) †
Fornecer a escala de tensão, VDD (ver nota 3)......................................-0.3 V a 7 V
Input voltage range, VI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .– 0.3 V to 7 V
Output voltage range, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 V a 7 V
Escala de temperatura ambiente, TA .................................... do funcionamento – 40 ° C a 85 ° C
Operating case temperature, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° C a 85° C
Faixa de temperatura de armazenamento, Tstg .......................................... – 55 ° C a 150 ° C
† Salienta além daqueles listados em "avaliações máximas absolutas" pode causar danos permanentes ao dispositivo. Estas são estresse classificações operação única e funcional do dispositivo quando estas ou quaisquer outras condições além das indicadas sob "recomendado condições operacionais" não está implícito. Exposição a condições de absoluto-máximo-avaliado por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade do dispositivo.
Nota 3: Todos os valores de tensão são em relação ao VSS.
recomendado para condições operacionais ('320C5x apenas)
MÍN MÁX NOM | UNIDADE | ||
Tensão de alimentação VDD | 4,75 5 5,25 | V | |
Tensão de alimentação VSS | 0 | V | |
Tensão de entrada VIH de alto nível | X2/CLKIN, CLKIN2 | VDD 3 + 0.3 | V |
CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | 2.5 VDD + 0.3 | V | |
Todas as outras entradas | 2 VDD + 0.3 | V | |
Tensão de entrada de nível baixo deIL de V | X2/CLKIN, CLKIN2, CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | – 0.3 0.7 | V |
Todas as outras entradas | – 0.3 0.8 | V | |
EuOH corrente de saída de alto nível (ver nota 4) | – 300‡ | ΜA | |
EuOL corrente de saída de baixo nível | 2 | mA | |
Temperatura operacional caso de TC | 0 85 | ° C | |
TA operacional temperatura | –40 85 | ° C |
‡ Isso euOH pode ser excedido quando usando um resistor de pulldown 1-kΩ na porta serial TDM TADD saído; no entanto, esta saída ainda satisfaz VOH especificações sob essas condições.
Nota 4: A Figura 9 mostra o circuito de carga de teste e Figura 10 e Figura 11 mostram os níveis de referência de tensão.