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Transistor de efeito de campo de TOSHIBA
Tipo do MOS do canal do silicone N (π−MOSIII) 2SK2611
Aplicações do conversor de DC−DC, da movimentação do relé e da movimentação do motor
* baixo drain−source na resistência: Rdo Ω 1,1doDS(SOBRE) = (tipo.)
* admissão de transferência dianteira alta: |Yfs| = 7,0 S (tipo.)
* baixa corrente do escapamento: MimDSS = μA 100 (máximo) (VDS = 720 V)
* Enhancement−mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 miliampère)
Peso: 4,6 g (tipo.)
Avaliações máximas absolutas (Ta = 25°C)
| Características | Símbolo | Avaliação | Unidade | |
| Tensão de Drain−source | VDSS | 900 | V | |
| Tensão de Drain−gate (RGS = kΩ 20) | VDGR | 900 | V | |
| Tensão de Gate−source | VGSS | ±30 | V | |
| Drene a corrente | C.C. (nota 1) | MIMD | 9 | A |
| Pulso (nota 1) | MIMDP | 27 | A | |
| Drene a dissipação de poder (Tc = 25°C) | PD | 150 | W | |
| Única energia da avalancha do pulso (nota 2) | ECOMO | 663 | mJ | |
| Corrente da avalancha | MIMAR | 9 | A | |
| Energia repetitiva da avalancha (nota 3) | EAR | 15 | mJ | |
| Temperatura do canal | Tch | 150 | °C | |
| Variação da temperatura do armazenamento | Stgde T | −55~150 | °C | |
Nota: Usar-se continuamente sob cargas pesadas (por exemplo a aplicação de alta temperatura/corrente/tensão e da mudança significativa na temperatura, etc.) pode fazer com que este produto diminua na confiança significativamente mesmo se as condições operacionais (isto é temperatura de funcionamento/corrente/tensão, etc.) estão dentro das avaliações máximas absolutas. Projete por favor a confiança apropriada em cima de rever o manual da confiança do semicondutor de Toshiba (“segurando conceito e métodos de /Derating das precauções”) e os dados de confiança individuais (isto é relatório de teste da confiança e taxa de falhas, etc. calculados).
Características térmicas
| Características | Símbolo | Máximo | Unidade |
| Resistência térmica, canal ao caso | Rdoth(ch−c) | 0,833 | °C/W |
| Resistência térmica, canal a ambiental | Rdoth(ch−a) | 50 | °C/W |
Nota 1: Use por favor dispositivos contanto que a temperatura do canal está abaixo de 150°C.
Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 15 mH, RG = 25 Ω, IAR = 9 A
Nota 3: Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura máxima do canal
Este transistor é um dispositivo sensível eletrostático.
Segure por favor com cuidado.
Marcação