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TOSHIBA isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta
GT30J121
Aplicações do interruptor do poder superior
Aplicações rápidas do interruptor
• A 4o geração
• Realce-modo
• (FS) de comutação rápido:
Frequência de funcionamento até 50 quilohertz (referência)
Alta velocidade: tf = 0,05 µs (tipo.)
Baixa perda do interruptor: Eternidade = mJ 1,00 (tipo.)
: Eoff = 0,80 mJ (tipo.)
• Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 2,0 V (tipo.)
Avaliações máximas (Ta = 25°C)
| Características | Símbolo | Avaliação | Unidade |
| tensão do Coletor-emissor | VCES | 600 | V |
| tensão do Porta-emissor | VGES | ±20 | V |
| Dissipação de poder do coletor (Tc = 25°C) | PC | 170 | W |
| Temperatura de junção | Tj | 150 | °C |
| Variação da temperatura do armazenamento | Stgde T | −55 a 150 | °C |
Formas de onda do circuito e do entrada/saída da medida do tempo do interruptor