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MOSFET DO PODER DO SILICONE DO N-CANAL
Desenhos de esboço das características
Interruptor de alta velocidade
Baixa em-resistência
Nenhum breadown secundário
Baixo poder de condução
Avalancha-prova
Aplicações
Reguladores de interruptor
UPS (fonte de alimentação ininterrupta)
Conversores de DC-DC
Diagrama esquemático do circuito equivalente
Avaliações máximas e avaliações do máximo do characteristicAbsolute
(Tc=25°C salvo disposição em contrário)
Artigo | Símbolo | Avaliações | Unidade | |
tensão da Dreno-fonte | VDS | 500 | V | |
VDSX*5 | 500 | V | ||
Corrente contínua do dreno | MIMD | ±21 | A | |
Corrente pulsada do dreno | MimD(puls] | ±84 | A | |
tensão da Porta-fonte | VGS | ±30 | V | |
Repetitivo ou não-repetitivo | MIMAR *2 | 21 | A | |
Energia máxima da avalancha | ECOMO *1 | 400 | mJ | |
Dreno-fonte máxima dV/dt | dVDS/dt *4 | 20 | kV/µs | |
Recuperação máxima dV/dt do diodo | dV/dt *3 | 5 | kV/µs | |
Dissipação de poder máxima | PD | Ta=25°C | 2,5 | W |
Tc=25°C | 220 | W | ||
Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento | Tch | +150 | °C | |
Stgde T | -55 a +150 | °C |
*1 L=1.67mH, Vcc=50V
*2 Tch 150°C <>
*3 SE - I <>
*4 VDS 500V
*5 V <>
Características