Anterwell Technology Ltd.
Anterwell tecnologia Ltd. Grande estoque Original de componentes eletrônicos do CI, transistores, diodos, etc. Alta qualidade, preço razoável, entrega rápida.
Add to Cart
Especificação do alvo da série do MOSFET SuperFAP-G do poder de Fuji
2SK3683-01MR (500V/0.38Ω/19A)
1) Pacote TO-220F15R
2) Avaliações máximas absolutas (Tc=25℃ salvo disposição em contrário)
| Características | Símbolo | Avaliação | Unidade | |
| Tensão de Drain−source | VDS | 500 | V | |
| Corrente contínua do dreno | MIMD | ±19 | A | |
| Corrente pulsada do dreno | MimD(pulso) | ±76 | A | |
| Tensão da Porta-fonte | VGS | ±30 | V | |
| Corrente máxima repetitiva e Não-repetitiva da avalancha | MIMAR | 19 | A | |
| Energia máxima Não-repetitiva da avalancha | ECOMO | 245,3 | mJ *1 | |
| Dreno-fonte máxima dV/dt | dVDS/dt | 20 | kV/us | |
| Recuperação máxima dV/dt do diodo | dV/dt | 5 | kV/us *2 | |
| Dissipação de poder máxima | PD @TC=25℃ | 95 | W | |
| PD @TA=25℃ | 2,16 | W | ||
| Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento | Tch | 150 | ℃ | |
| Stgde T | -55 ~ +150 | ℃ | ||
Características térmicas
| Artigos | Símbolos | Condições de teste | mínimo. | tipo. | máximo. | Unidades |
| Canal ao caso | Rth (ch-c) | 1,316 | ℃/W | |||
| Canal a ambiental | Rth (ch-um) | 58,0 | ℃/W |
*1 L=1.25mH, Vcc=50V
*2 mimF≤-ID, - di/dt=50A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C