As aplicações típicas são conversores de DC−DC, põem a gestão em produtos portáteis e battery−powered tais como computadores, impressoras, de cartões de PCMCIA os telefones, celulares e sem corda.

Características

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

• Baixa tensão do ponto inicial (VGS (th):

0,5 V−1.5 V) fazem-lhe o ideal para aplicações da baixa tensão

• O pacote diminuto da montagem da superfície SOT−23 salvar o espaço da placa

NOTAS:

1. CÁLCULO DE DIMENSÕES E TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.

2. DIMENSÃO DE CONTROLO: POLEGADA.

3. A ESPESSURA MÁXIMA DA LIGAÇÃO INCLUI A ESPESSURA DO REVESTIMENTO DA LIGAÇÃO. A ESPESSURA MÍNIMA DA LIGAÇÃO É A ESPESSURA MÍNIMA DA MATÉRIA-PRIMA.

4. 318−03 E −07 OBSOLETOS, PADRÃO NOVO 318−08.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta = 25°C salvo disposição em contrário)

Avaliação	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão de Drain−to−Source	V_DSS	50	VDC
− da tensão de Gate−to−Source contínuo	V_GS	± 20	VDC
Dissipação de poder total @ Ta = 25°C	P_D	225	mW
Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento	T_J, _stgde T	− 55 150	°C
− Junction−to−Ambient da resistência térmica	R_JA	556	°C/W
Temperatura máxima da ligação para finalidades de solda, por 10 segundos	TL	260	°C

MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

microplaqueta do circuito integrado

microplaquetas programáveis do CI

Chips de placa de circuito

Diodo de retificador

Transistor do Mosfet do poder

3 Pin Transistor

RJ45 Ethernet Jack

Pressão Sensor IC

Módulo de Alimentação MOSFET

SMD Ferrite Bead

o smd conduziu o diodo

SMD Resistências

Chips eletrônicos IC

componentes da eletrônica

MOSFET do poder do transistor do Mosfet do poder de BSS138LT1G 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

Põe o MOSFET 200 miliampères, 50 V N−Channel SOT−23

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