Anterwell Technology Ltd.
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Descrição geral
Os transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do nível da lógica do P-canal SuperSOTTM-3 são produzidos usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Este processo muito high-density é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado. Estes dispositivos são seridos particularmente para aplicações da baixa tensão tais como a gestão do poder do laptop, a eletrônica portátil, e outros circuitos a pilhas onde o interruptor rápido do alto-lado, e a baixa em-linha perda de poder são precisados em um pacote muito pequeno da montagem da superfície do esboço.
Características
►-1.1 A, -30 V, RDS (SOBRE) = 0,3 W @ VGS=-4.5 V
RDS (SOBRE) = 0,2 W @ VGS=-10 V.
pacote padrão ►Industry da montagem da superfície do esboço SOT-23
usando o projeto SuperSOTTM-3 proprietário para o thermal superior
e capacidades elétricas.
Projeto high-density da pilha do ► para extremamente - o baixo RDS (SOBRE).
em-resistência do ►Exceptional e capacidade da corrente da C.C. do máximo.
Avaliações máximas absolutas Ta = 25°C salvo disposição em contrário
| Símbolo | Parâmetro | NDS356AP | Unidades |
| VDSS | Tensão da Dreno-fonte | -30 | V |
| VGSS | Tensão da Porta-fonte - contínua | ±20 | V |
| Identificação | Corrente máxima do dreno - contínua | ±1.1 | A |
| Paládio | Dissipação de poder máxima | 0,5 | W |
| TJ, TSTG | Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | °C |