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Retificadores montados do transistor do Mosfet do poder MR756 ligação altamente atual

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Retificadores montados do transistor do Mosfet do poder MR756 ligação altamente atual

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :MR756
Lugar de origem :Filipinas
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :20000
Tempo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
VRRM :600 V
VRSM :720 V
VR (RMS) :420 V
IFSM :400 (para 1 ciclo) A
TJ, Tstg :°C 65 a +175
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Ligação altamente atual retificadores montados


Retificadores montados do transistor do Mosfet do poder MR756 ligação altamente atualCaracterísticas

• Capacidade atual comparável aos retificadores montados chassi

• Capacidade muito alta do impulso

• Caixa isolada

• Os pacotes de Pb−Free são características mecânicas de Available*:

• Caso: Cola Epoxy, moldada

• Peso: 2,5 gramas (aproximadamente)

• Revestimento: Todas as superfícies externos resistentes à corrosão e a ligação terminal são prontamente Solderable

• Temperatura da ligação para finalidades de solda: máximo 260°C por 10 segundos

• Polaridade: Faixa da polaridade do cátodo

 

MR7 = código de dispositivo

 

xx = 50, 51, 52, 54, 56 ou 60

    = pacote de Pb−Free

 

(Nota: O Microdot pode estar em um ou outro lugar)

      INFORMAÇÃO PEDINDO

See detalhou a informação pedindo e de envio na seção das dimensões do pacote na página 6 desta folha de dados.

 

 

Retificadores montados do transistor do Mosfet do poder MR756 ligação altamente atual  Para uma entrada da onda quadrada da amplitude Vm, o fator de eficiência torna-se:

 

Retificadores montados do transistor do Mosfet do poder MR756 ligação altamente atual

 

   (O circuito de onda completa de A tem duas vezes estas eficiências)

   

   Enquanto a frequência do sinal de entrada é aumentada, a época de recuperação reversa do diodo (figura 10) torna-se significativa, tendo por resultado um componente crescente da tensão AC Através de RL que é oposto na polaridade à corrente dianteira, reduzindo desse modo o valor do σ do fator de eficiência, como mostrado em figura 9.

 

   Deve-se sublinhar que figura 9 mostra a eficiência da forma de onda somente; não fornece uma medida de perdas do diodo. Os dados foram obtidos medindo o componente de C.A. do Vo com um voltímetro de C.A. verdadeiro do rms e o componente da C.C. com um voltímetro da C.C. Os dados foram usados na equação 1 para obter pontos para figura 9.

 

 

Retificadores montados do transistor do Mosfet do poder MR756 ligação altamente atual

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