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SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

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Número de modelo :SI2301CDS-T1-E3
Lugar de origem :Filipinas
Quantidade de ordem mínima :20
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :20000
Tempo de entrega :1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
VDS :- 20 V
VGS :± 8 V
Identificação :-3,1 A
DM :- 10 A
É :-3,1 A
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SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

MOSFET do P-canal 20-V (D-S)


CARACTERÍSTICAS SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

• opção Halogênio-livre disponível

• MOSFET do poder de TrenchFET®

 

APLICAÇÕES

• Interruptor da carga

 

SUMÁRIO DO PRODUTO DO MOSFET
VDS (V)  RDS(sobre) (Ω) MimD (A) Qg (tipo.)
- 20 0,112 em VGS = - 4,5 V - 3,1 3,3 nC
0,142 em VGS = - 2,5 V - 2,7

 

 

°C TÍPICO das CARACTERÍSTICAS 25, salvo disposição em contrário

SI2301CDS - T1 - transistor P do mosfet do poder superior E3 - MOSFET do canal 20-V (D-S)

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