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Os transistor do mosfet do poder superior de FQPF10N20C põem o MOSFET do N-canal do transistor 200V do Mosfet do poder do mosfet CI

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Os transistor do mosfet do poder superior de FQPF10N20C põem o MOSFET do N-canal do transistor 200V do Mosfet do poder do mosfet CI

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Número de modelo :FQPF10N20C
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7800pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :200 V
Tensão da Porta-Fonte :± 30 V
Escolha a energia pulsada da avalancha :210 mJ
Corrente da avalancha :9,5 A
Energia repetitiva da avalancha :7,2 mJ
Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento :°C -55 a +150
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FQP10N20C/FQPF10N20C
MOSFET do N-canal 200V
 
Descrição geral
Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, listra planar, tecnologia de DMOS.
Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho superior do interruptor, e para suportar o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutação. Estes dispositivos são poço - serido para a eficiência elevada que comuta conversores de DC/DC, fontes de alimentação do modo do interruptor, conversores de DC-AC para fontes de alimentação ininterruptos e controlos do motor.
 
Características
• 9.5A, 200V, RDS (sobre) = 0.36Ω @VGS = 10 V
• Baixa carga da porta (20 típicos nC)
• Baixo Crss (40,5 típicos PF)
• Interruptor rápido
• avalancha 100% testada
• Capacidade melhorada de dv/dt
 
Os transistor do mosfet do poder superior de FQPF10N20C põem o MOSFET do N-canal do transistor 200V do Mosfet do poder do mosfet CI
Avaliações máximas absolutas TC = 25°C salvo disposição em contrário

SímboloParâmetroFQP10N20CFQPF10N20CUnidades
VDSSTensão da Dreno-fonte200V
MIMD

Corrente do dreno - contínua (TC = 25°C)

                      - Contínuo (TC = 100°C)

9,59,5 *A
6,06,0 *A
MIMDMCorrente do dreno - pulsada (nota 1)3838 *A
VGSSTensão da Porta-fonte± 30V
ECOMOEscolha a energia pulsada da avalancha (nota 2)210mJ
MIMARCorrente da avalancha (nota 1)9,5A
EAREnergia repetitiva da avalancha (nota 1)7,2mJ
dv/dtRecuperação máxima dv/dt do diodo (nota 3)5,5V/ns
PD

Dissipação de poder (TC = 25°C)

                            - Derate acima de 25°C

7238W
0,570,3W/°C
TJ, TSTGFuncionamento e variação da temperatura do armazenamento-55 a +150°C
TLTemperatura máxima para finalidades de solda, 1/8" da ligação do argumento por 5 segundos300°C

* drene limitado atual pela temperatura de junção máxima.
 
Empacote dimensões

 TO-220
Os transistor do mosfet do poder superior de FQPF10N20C põem o MOSFET do N-canal do transistor 200V do Mosfet do poder do mosfet CI
 

TO-220F
Os transistor do mosfet do poder superior de FQPF10N20C põem o MOSFET do N-canal do transistor 200V do Mosfet do poder do mosfet CI
 
 
Armazene a oferta (a venda quente)

Número da peça.Q'tyMFGD/CPacote
LP3990MFX-3.33844NSC15+SOT-23-5
LP38692MP-3.33843NSC15+SOT-223
LP38500SD-ADJ3843NSC14+LLP-8
LNK626PG3843PODER15+DIP-7
LMV934MAX3842NSC15+SOP-14
MPXM2010GS3830FREESCALE14+CONCESSÃO
AD8606ARZ3829ANÚNCIO14+SOP-8
LTC3374EUHF3821LINEAR15+QFN
M41T81SM6F3820ST14+CONCESSÃO
ADXL322JCP3819ANÚNCIO15+LFCSP-16
ADUM2401ARWZ3818ANÚNCIO15+SOP-16
PIC16LF876A-I/SS3816MICROCHIP14+SSOP
MAX6951CEE+3802MÁXIMA15+SSOP
ADS1232IPWR3800SI15+TSSOP-24
LM3900N3799NSC14+DIP-14
LM828M5X3796NSC14+SOT-23-5
MX25L25635FMI-10G3782MXIC13+CONCESSÃO
AT90CAN64-16AU3781ATMEL15+QFP64
MT8816AP3780ZARLINK1148+PLCC
MC68HC908JL3ECP3780FREESCALE04+MERGULHO
LT3010EMS8E-53780LINEAR12+MSOP-8

 
 
 

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