HY6264ALP-10 8 o circuito integrado dos dispositivos eletrónicos e dos circuitos integrados da microplaqueta do pino CI lasca x8 SRAM

Série 8Kx8bit CMOS SRAM de HY6264A

DESCRIÇÃO

O HY6264A é um de alta velocidade, uma baixa potência e um 8,192x8-bits CMOS RAM estático fabricado usando a tecnologia de processamento do CMOS da cuba do gêmeo do elevado desempenho de Hyundai. Este processo alto acoplado com técnicas de projeto inovativas do circuito, tempo de acesso da confiança máximo dos rendimentos de 70ns. O HY6264A tem um modo da retenção dos dados que garanta dados para permanecer válido na tensão de fonte de alimentação mínima de 2,0 volts. Usando a tecnologia do CMOS, a tensão de fonte de 2,0 a 5,5 volts tem pouco efeito na corrente da fonte no modo da retenção dos dados. Reduzir a tensão de fonte para minimizar o dreno atual é desnecessária para a série de HY6264A.

CARACTERÍSTICAS

· Saídas inteiramente estáticas da operação e do Tri estado

· Entradas e saídas compatíveis de TTL

· Consumo da baixa potência

· Backup de bateria (L/LL-part)

  retenção (mínima) dos dados de -2.0V

· Configuração de pino padrão

  -28 pino 600 mil. PDIP

  -28 pino uma CONCESSÃO de 330 mil.

AVALIAÇÃO MÁXIMA ABSOLUTA ⁽¹⁾

A nota 1. força maior do que aquelas alistadas sob AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é esforço que avalia somente e a operação funcional do dispositivo sob estes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados na operação desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação máxima absoluta por um longo período pode afetar a confiança.

INFORMAÇÃO PEDINDO

  DIAGRAMA DE BLOCO DA CONEXÃO DE PIN

INFORMAÇÃO DO PACOTE

28pin 600mil Dual Em-linha pacote (P)

pacote pequeno do esboço de 28pin 330mil (J)

Oferta conservada em estoque (venda quente)