Categorias de Produtos

microplaqueta do circuito integrado

[629]

microplaquetas programáveis do CI

[290]

componentes da eletrônica

[204]

Contate

Anterwell Technology Ltd.

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MissSharon Yang

Ver detalhes de contato

Contate

Transistor de poder fresco do transistor MOS™ do Mosfet do poder do transistor de poder do darlington do npn SPA04N60C3

Pergunte o preço mais recente

Número de modelo :SPA04N60C3

Lugar de origem :Fábrica original

Quantidade de ordem mínima :10pcs

Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :8700pcs

Tempo de entrega :dia 1

Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes

Tensão de divisão da Dreno-fonte :600 V

Tensão de divisão da avalancha da Dreno-fonte :700 V

Tensão do ponto inicial da porta :3 v

Corrente zero do dreno da tensão da porta (Tj =25°C) :0,5 µA

corrente do escapamento da Porta-fonte :nA 100

Resistência de entrada da porta :0,95 Ω

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

SPP04N60C3, SPB04N60C3
Dados finais SPA04N60C3

Transistor de poder fresco de MOSô

V_jmax do_DS @ T	650	V
R_DS(sobre)	0,95	Ω
MIM_D	4,5	A

Característica
• Tecnologia de alta tensão revolucionária nova
• Carga ultra baixa da porta
• Avalancha periódica avaliada
• Dv/dt extremo avaliado
• Capacidade alta da corrente máxima
• Transcondutância melhorada
• P-TO-220-3-31: Pacote inteiramente isolado (2500 VAC; 1 minuto)

P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1

Avaliações máximas

Parâmetro	Símbolo	Valor		Unidade
Parâmetro	Símbolo	SPP_B	TERMAS	Unidade
Corrente contínua do dreno TC = °C 25 TC = °C 100	MIM_D	4,5 2,8	4,5¹⁾ 2,8¹⁾	A
Corrente pulsada do dreno, t_p limitado pelo_jmaxde T	Mim_pulsdeD	13,5	13,5	A
Energia da avalancha, único pulso mim_D=3.4, V_DD=50V	E_COMO	130	130	mJ
Energia da avalancha, t repetitivo_AR limitado pelo_jmax²⁾ I_D=4.5Ade T, V_DD=50V	E_AR	0,4	0,4	mJ
Avalancha atual, t repetitivo_AR limitado pelo_jmaxde T	MIM_AR	4,5	4,5	A
Estática da tensão de fonte de porta	V_GS	±20	±20	V
C.A. da tensão de fonte de porta (f >1Hz)	V_GS	±30	±30
Dissipação de poder, T_C = 25°C	_Pequenode P	50	31	W
Funcionamento e temperatura de armazenamento	T_j, _stgde T	-55… +150		°C
Drene a inclinação da tensão da fonte V_DS = 480 V, I_D = 4,5 A, T_j = °C 125	dv/dt	50		V/ns

P-TO-220-3-1

P-TO-263-3-2 (D2-PAK)

P-TO-220-3-31 (FullPAK)

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.

Q'ty

MFG

D/C

Pacote

MC14536BDWR2G	6563	EM	16+	CONCESSÃO
LT5400BCMS8E-4#PBF	4130	LINEAR	16+	MSOP
MC4741CD	3556	MOT	16+	CONCESSÃO
PIC10F322T-I/OT	9250	MICROCHIP	16+	ÉBRIO
MC14584BDR2G	10000	EM	16+	CONCESSÃO
LT1014DSW#TRPBF	8146	LT	14+	SOP-16
MC145152DW2	5186	FREESCAL	15+	CONCESSÃO
MC78M05CDTX	10000	FAI	16+	SOT-252
MBM29F040C-90PD-SFL	14690	FUJITSU	16+	PLCC
L6563TR	3752	ST	15+	SOP14
MUR1560G	7604	EM	16+	TO-220
MUR840G	7300	EM	16+	TO-220
MMSZ4682T1G	25000	EM	16+	SOD-123
MC68HC908QY4ACDWE	3820	FREESCALE	16+	SOIC
MB8431-90LPFQ	3226	FUJI	16+	QFP
MMSZ5246BT1G	30000	EM	16+	SOD-123
LM5642MTCX	1833	NSC	14+	TSSOP-28
PIC16F1829-I/SS	5263	MICROCHIP	16+	SSOP
L4940V12	3675	ST	14+	TO-220
RA8875L3N	1200	RAIO	15+	TQFP-100
MB8421-90LPFQ-GE1	3165	FUJI	14+	QFP