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Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

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Número de modelo :AM29F040B-70JD
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8400pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Pacotes do plástico da temperatura de armazenamento :– 65°C a +125°C
Temperatura ambiental com o poder aplicado :– 55°C a +125°C
Corrente da carga da entrada :µA ±1.0
Corrente do escapamento da saída :µA ±1.0
VCC corrente à espera :0,4 miliampères
Baixa tensão da saída :0,45 V (máximos)
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Am29F040B

4 megabits (512 K x de 8 bits) CMOS 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

 

CARACTERÍSTICAS DISTINTIVAS

• 5,0 o ± 10% de V para lido e escreve operações

   — Minimiza exigências de poder do nível de sistema

• Fabricado em 0,32 tecnologias de processamento do µm

   — Compatível com 0,5 dispositivos do µm Am29F040

• Elevado desempenho

   — Tempos de acesso mais rapidamente que 55 ns

• Consumo da baixa potência

   — o active típico de 20 miliampère leu a corrente

   — 30 programas típicos do miliampère/corrente do erase

   — 1 corrente à espera típica do µA (tempo de acesso padrão ao modo ativo)

• Arquitetura flexível do setor

   — 8 setores uniformes de 64 Kbytes cada um

   — Toda a combinação de setores pode ser apagada

   — Erase completo da microplaqueta dos apoios

   — Proteção do setor: Um método do hardware de travar setores para impedir alguns programa

        ou operações do erase dentro desse setor

• Algoritmos encaixados

   — O algoritmo encaixado do Erase automaticamente preprograms e apaga a microplaqueta inteira

       ou alguma combinação de setores designados

   — O algoritmo encaixado do programa automaticamente escreve e verifica bytes em endereços especificados

• O programa/erase do mínimo 1.000.000 dá um ciclo pelo setor garantido

• retenção de 20 dados do ano em 125°C

   — Operação segura para a vida do sistema

• Opções do pacote

   — 32 pino PLCC, TSOP, ou PDIP

• Compatível com padrões de JEDEC

   — Pinout e software compatíveis com padrão do flash da único-poder-fonte

   — Inadvertidos superiores escrevem a proteção

• Bocados da votação e do pino de madeira de Data#

   — Fornece um método do software de detectar a conclusão do programa ou do ciclo do erase

• O Erase suspende/resumo do Erase

   — Suspende uma operação do erase do setor para ler dados, ou programam dados, a um setor deapagamento,

        recomeça então a operação do erase

 

DESCRIÇÃO GERAL

O Am29F040B é uns 4 Mbit, uma memória Flash de 5,0 volts-somente organizada como 524.288 Kbytes de 8 bocados cada um. Os 512 Kbytes dos dados são divididos em oito setores de 64 Kbytes cada um para a capacidade flexível do erase. Os 8 bocados dos dados aparecem em DQ0-DQ7. O Am29F040B é oferecido 32 no pino pacotes de PLCC, de TSOP, e de PDIP. Este dispositivo é projetado ser em-sistema programado com o sistema padrãocentímetro cúbico da fonte de 5,0 volts V. Uns 12,0 volts VPP não são exigidos para escrevem ou apagam operações. O dispositivo pode igualmente ser programado em programadores padrão da EPROM.

Este dispositivo é fabricado usando tecnologias de processamento do µm de AMD 0,32, e oferece todas as características e benefícios do Am29F040, que foi fabricado usando 0,5 tecnologias de processamento do µm. No addtion, o Am29F040B tem um segundo bocado de alavanca, DQ2, e igualmente oferece a capacidade para programar no Erase suspende o modo.

O padrão Am29F040B oferece tempos de acesso de 55, de 70, de 90, e de 120 ns, permitindo que os microprocessadores de alta velocidade operem-se sem estados de espera. Para eliminar a disputa que do ônibus o dispositivo manda a microplaqueta separada permitir (CE#), escreva permitem (WE#) e a saída permite os controles (OE#).

O dispositivo exige somente uma única fonte de uma alimentação de 5,0 volts para lido e escreve funções. As tensões internamente geradas e reguladas são fornecidas para o programa e apagam operações.

O dispositivo é inteiramente compatível ajustado do comando com o padrão do flash da único-poder-fonte de JEDEC. Os comandos são escritos ao registro do comando que usa o microprocessador padrão escrevem sincronismos. Os índices do registro servem como a entrada a uma estado-máquina interna que controle o erase e os circuitos de programação. Escreva ciclos igualmente internamente travam os endereços e os dados necessários para a programação e apagam operações. Ler dados fora do dispositivo é similar à leitura do outro flash ou dos dispositivos da EPROM.

A programação do dispositivo ocorre executando a sequência de comando do programa. Isto inicia o algoritmo interno encaixado do algoritmo-um do programa que cronometra automaticamente as larguras de pulso do programa e verifica a margem apropriada da pilha.

A supressão do dispositivo ocorre executando a sequência de comando do erase. Isto inicia o algoritmo interno encaixado do algoritmo-um do Erase que preprograms automaticamente a disposição (se não é programada já) antes de executar a operação do erase. Durante o erase, o dispositivo cronometra automaticamente as larguras de pulso do erase e verifica a margem apropriada da pilha.

O sistema de anfitrião pode detectar se um programa ou uma operação do erase estão completo lendo bocados de estado DQ7 (votação de Data#) e DQ6 (de alavanca). Depois que um programa ou um ciclo do erase foram terminados, o dispositivo está pronto para ler dados da disposição ou para aceitar um outro comando.

A arquitetura do erase do setor permite que os setores da memória sejam apagados e reprogrammed sem afetar os índices de dados de outros setores. O dispositivo é apagado inteiramente quando enviado da fábrica.

As medidas da proteção de dados do hardware incluem um baixo detector VCC que iniba automaticamente escreva operações durante transições do poder. A característica de proteção do setor do hardware desabilita operações do programa e do erase em qualquer combinação dos setores da memória. Isto pode ser conseguido através do equipamento de programação.

O Erase suspende a característica permite o usuário de pôr o erase sobre a posse para todo o período de hora de ler dados, ou programa dados, a qualquer setor que não for selecionado para a supressão. O erase verdadeiro do fundo pode assim ser conseguido.

O sistema pode colocar o dispositivo no modo à espera. O consumo de potência é reduzido extremamente neste modo.

A tecnologia instantânea de AMD combina anos de experiência da fabricação da memória Flash para produzir os níveis os mais altos de rentabilidade de qualidade, de confiança e. O dispositivo apaga eletricamente todos os bocados dentro de um setor simultaneamente através do encapsulamento do fowler-Nordheim. Os dados são programados usando a injeção quente do elétron.

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Temperatura de armazenamento

    Pacotes plásticos…………… – 65°C a +125°C

Temperatura ambiental

    com o poder aplicado. …………. – 55°C a +125°C

Tensão no que diz respeito à terra

    VCC (nota 1)……………. – 2,0 V a 7,0 V

    A9, OE# (nota 2)…………. – 2,0 V a 12,5 V

    Todos pinos restantes (nota 1)………. – 2,0 V a 7,0 V

Output a corrente do curto-circuito (nota 3)…… 200 miliampères

 

Notas:

1. A tensão de C.C. mínima na entrada ou nos pinos do I/O é – 0,5 V. Durante transições da tensão, as entradas podem o undershoot VSS – 2,0 V por períodos de até 20 ns. Veja que a figura 5. tensão de C.C. do máximo na entrada e nos pinos do I/O é VCC + 0,5 V. Durante transições da tensão, entre e os pinos do I/O podem ultrapassar a VCC + 2,0 V por períodos até 20 ns. Veja figura 6.

2. A tensão de entrada mínima da C.C. no pino A9 é – 0,5 V. Durante transições da tensão, o A9 e o OE# pode o undershoot VSS – 2,0 V por períodos de até 20 ns. Veja que a figura 5. tensão de entrada da C.C. do máximo no A9 e no OE# é 12,5 V que pode ultrapassar a 13,5 V por períodos até 20 ns.

3. Não mais de um output shorted à terra em um momento. A duração procurar um caminho mais curto não deve ser maior de um segundo.

Os esforços acima daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente; a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada. A exposição do dispositivo às condições da avaliação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo.

 

Figura 5. forma de onda negativa máxima do Overshoot

Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

 

Figura 6. forma de onda positiva máxima do Overshoot

Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

 

ESCALAS DE FUNCIONAMENTO

Dispositivos do anúncio publicitário (c)

Temperatura ambiental (TA)………. 0°C a +70°C

(i) dispositivos industriais

Temperatura ambiental (TA)……… – 40°C a +85°C

(e) dispositivos prolongados

Temperatura ambiental (TA)……. – 55°C a +125°C

V tensões de fonte docentímetro cúbico

Vcentímetro cúbico para dispositivos do ± 5%………. +4,75 V a +5,25 V

Vcentímetro cúbico para dispositivos do ± 10%………. +4,5 V a +5,5 V

As escalas de funcionamento definem aqueles limites entre que a funcionalidade do dispositivo é garantida.

 

DIAGRAMA DE BLOCO

Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

 

DIAGRAMAS DE CONEXÃO

Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

Microplaqueta CMOS do circuito integrado da microplaqueta do pino CI de AM29F040B-70JD 8 5,0 volts-somente, memória Flash uniforme do setor

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Q'ty MFG D/C Pacote
30380* 449 BOSCH 10+ QFP80
MC-156 32.768KHZ 10000 EPSON 16+ SMD
L9113 2377 ST 15+ HQPF64
MC9RS08KA4CWG 4516 FREESCALE 16+ CONCESSÃO
MMBFJ201 30000 FAIRCHILD 16+ SOT-23
MC9S08QD4CPC 4642 FREESCALE 16+ MERGULHO
MSP430F449IPZ 6771 SI 15+ QFP
MT48LC4M16A2TG-75L: G 7310 MÍCRON 16+ TSOP
LT1963AES8-1.8 11886 LINEAR 16+ SOP-8
MAX3387ECUG+ 12400 MÁXIMA 14+ TSSOP
MAX9142ESA+T 10176 MÁXIMA 16+ CONCESSÃO
LMC555CMX 6930 NSC 15+ SOP-8
MC14049UBCPG 10000 EM 16+ MERGULHO
AX88796C 3088 ASIX 13+ QFP64
M29W160DB-90N1 3828 ST 10+ TSSOP
MAX3221ECPW 10150 SI 14+ TSSOP
PC923L 11820 AFIADO 14+ CONCESSÃO
OPA2251PA 6700 SI 14+ MERGULHO
ATTINY2313A-PU 3679 ATMEL 15+ SOP-20
MCP602-I/SN 10000 MICROCHIP 13+ CONCESSÃO
MC908JL8CPE 4456 FREESCALE 16+ MERGULHO

 

 

 

 

 

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