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TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B

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Número de modelo :BTA40-600B
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7600pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Variação da temperatura da junção do armazenamento :- 40 a + 150°C
Variação da temperatura de funcionamento da junção :- 40 a + 125°C
Dissipação de poder média da porta :1 W
Corrente máxima da porta :8 A
Tensão do ponto inicial :0,85 V
Resistência dinâmica :mΩ 10
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Série BTA40, BTA41 e BTB41
TRIAC 40A
 
Características principais

SímboloValorUnidade
MIMT(RMS)40A
VDRM/VRRM600 e 800V
MIMGT(Q1)50miliampère

 
DESCRIÇÃO
Disponível em pacotes do poder superior, a série de BTA/BTB40-41 é apropriada para o interruptor de uso geral da C.A. Podem ser usados como uma função DE LIGAR/DESLIGAR nos pedidos tais como relés estáticos, regulamento de aquecimento, motor de indução que liga circuitos… ou para a operação de controle da fase em redutors leves, controladores da velocidade do motor,…
Agradecimentos a sua técnica do conjunto do grampo, fornecem um desempenho superior na corrente de impulso que segura capacidades.
Usando uma almofada cerâmica interna, a série de BTA fornece a tensão aba isolada (avaliada em 2500VRMS) que cumpre com os padrões do UL (referência do arquivo.: E81734).
 
Avaliações máximas absolutas

SímboloParâmetroValorUnidade
MIMT(RMS)Corrente do em-estado do RMS (onda de seno completa)RD91/TOP3Tc = 95°C40A
Ins da PARTE SUPERIOR.Tc = 80°C
MIMTSMCorrente não repetitiva do em-estado do pico do impulso (ciclo completo, inicial de Tj = 25°C)F = 50 hertzt = Senhora 20400A
F = 60 hertzt = Senhora 16,7420
Mim ² tMim valor do ² t para fundir

      tp = Senhora 10

880Um ² s
dI/dtTaxa crítica de elevação da corrente do em-estado mimG = 2 x mimGT, ≤ 100 ns do trF = 120 hertzTj = 125°C50A/µs
VDSM/VRSMTensão não repetitiva do fora-estado do pico do impulsotp = Senhora 10Tj = 25°C

VDSM/VRSM

+ 100

V
MIMGMCorrente máxima da portatp = 20 µsTj = 125°C8A
PG(AVOIRDUPOIS)Dissipação de poder média da portaTj = 125°C1W

Tstg

Tj

Variação da temperatura da junção do armazenamento

Variação da temperatura de funcionamento da junção

- 40 + a 150

- 40 + a 125

°C

 
TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B
 
(Isolado e isolado não) dados mecânicos do pacote TOP3
TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B
 
Dados mecânicos do pacote RD91
TRIAC complementares do módulo de poder 40A do Mosfet dos transistor de poder do silicone de BTA40-600B
 
 
Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.Q'tyMFGD/CPacote
X9C104PIZ7680INTERSIL15+DIP-8
PC354NJ0000F10000AFIADO16+CONCESSÃO
X5043P3000INTERSIL13+DIP-8
LMC7660IM3224NSC13+SOP-8
MID400S6796FAIRCHILD12+SOP-8
MAX3378EEUD+T12200MÁXIMA16+TSSOP
NTR4101PT1G40000EM16+SOT-23
NCP1207APG10880EM13+MERGULHO
MOC3163SM5609FSC12+CONCESSÃO
PIC32MX460F512L-80I/PT900MICROCHIP14+TQFP-64
LM4871MX4783NSC15+SOP-8
L298HN2399ST14+FECHO DE CORRER
NDS8434A10000FAIRCHILD16+SOP-8
MC34166TVG3478EM16+TO-220
MBRF20100CTG10000EM16+TO-220
LT3591EDDB#TRMPBF13514LINEAR14+DFN
LM318MX2000NSC15+SOP-8
NCP1117ST50T3G10000EM16+SOT-223
MC33204DR2G5938EM16+CONCESSÃO
AT24C02B-PU2200ATMEL14+DIP-8
LTC1665CGN#PBF5890LINEAR16+SSOP

 
 
 
 

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