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Os dispositivos eletrónicos e os circuitos integrados dos componentes da eletrônica M74HCT14B1 ENCANTAM O INVERSOR de SCHMITT
M54HCT14
M74HCT14
ENCANTAR O INVERSOR DE SCHMITT
• DE ALTA VELOCIDADE 
tpaládio = 16 ns (TIPO.) em Vcentímetro cúbico =5V
• DISSIPAÇÃO DE BAIXA POTÊNCIA
Mimcentímetro cúbico = 1 µA (MÁXIMO) EM TA = °C 25
• IMUNIDADE DE RUÍDO ALTA
VH = 0,7 V (TIPO.) EM VCENTÍMETRO CÚBICO =5V
• CARGAS DA CAPACIDADE DE MOVIMENTAÇÃO 10 LSTTL DA SAÍDA
• IMPEDÂNCIA SIMÉTRICA DA SAÍDA
︱ Do ︱ IOH = IOL = 4 miliampères (MÍNIMO)
• ATRASOS DE PROPAGAÇÃO EQUILIBRADOS
tPLH = tPHL
• PIN E FUNÇÃO COMPATÍVEIS COM 54/74LS14
DESCRIÇÃO
O M54/74HCT14 é um CMOS de alta velocidade ENCANTA O INVERSOR de SCHMITT fabricado na tecnologia do MOS da portade silicone C2. Tem o mesmo desempenho de alta velocidade de LSTTL combinado com o consumo verdadeiro da baixa potência do CMOS. A configuração e a função de Pin são a mesma que aquelas do HCT04 mas todas as entradas têm 0,7 níveis da histerese de V. Isto junto com sua função do disparador do schmitt permite que seja usada na linha receptores com sinais de entrada lentos da elevação/queda. Este circuito integrado tem as características de entrada e de saída que são inteiramente - compatíveis com as famílias de 54/74 de lógica de LSTTL. Os dispositivos de M54/74HCT são projetados conectar diretamente sistemasdo MOS de HSC2 com os componentes de TTL e do NMOS. São igualmente obstruem dentro substituições para os dispositivos de LSTTL que dão uma redução do consumo de potência. Todas as entradas são equipadas com o pro
AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCENTÍMETRO CÚBICO | Tensão de fonte | -0,5 a +7 | V |
| VI | Tensão de entrada da C.C. | -0,5 a Vcentímetro cúbico + 0,5 | V |
| VO | Tensão da saída da C.C. | -0,5 a Vcentímetro cúbico + 0,5 | V |
| MIMIK | Corrente de diodo da entrada de C.C. | ± 20 | miliampère |
| EUAPROVO | A C.C. Output a corrente de diodo | ± 20 | miliampère |
| MIMO | Corrente do dissipador da fonte da saída da C.C. pelo Pin da saída | ± 25 | miliampère |
| Mimcentímetro cúbico outerrade I | C.C.Vcentímetro cúbico ou corrente da terra | ± 50 | miliampère |
| PD | Dissipação de poder | 500 (*) | mW |
| Stgde T | Temperatura de armazenamento | -65 a +150 | ℃ |
| TL | Temperatura da ligação (segundo 10) | 300 | ℃ |
MaximumRatings absoluto é aqueles valores além do whichdamage ao dispositivo pode ocorrer. A operação funcional sob estes condiciona isnotimplied.
(*) 500 mW: o ℃ do ≅ 65 derate a 300 mW por 10mW/℃: ℃ 65 ao ℃ 85
CIRCUITO EQUIVALENTE DE ENTRADA E DE SAÍDA
CONEXÕES de PIN (vista superior)
LÓGICA DIAGRAM/WAVEFORM
CIRCUITO DO TESTE DE CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR