Microcontroladores do flash de USB da microplaqueta do circuito integrado do diodo de retificador de NGD8201NG

NGD8201NG Rectificador Diodo Circuito Integrado Chip USB Flash Microcontroladores

NGD8201NG

Ignição IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK

Este transistor bipolar da porta isolada nível da lógica (IGBT) caracteriza circuitos monolíticos que integram ESD e proteção travada da sobretensão para o uso em aplicações indutoras dos excitadores da bobina. As principais utilizações incluem Ignição, Injecção Directa de Combustível ou onde quer que sejam necessárias ligações de alta e alta tensão.

Características

• Ideal para Aplicações de Coil-on-Plug e Driver-on-Coil

• Pacote DPAK oferece menor pegada para maior espaço na placa

• Proteção ESD para gate-emissor

• Temperatura Compensada Valores de Grampo da Tensão do Coletor de Porta Estresse Aplicado à Carga

• Proteção Integrada de Diodo ESD

• Tensão de Limiar Baixa para Interfazer Cargas de Potência a Dispositivos de Lógica ou Microprocessador

• Baixa Tensão de Saturação

• Alta Capacidade de Corrente Pulsada

• Resistor de Porta Opcional (RG) e Resistência Gate-Emitter (RGE)

Aplicações

• Sistemas de Ignição

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS (TJ = 25 ° C, salvo indicação em contrário)

Classificação Símbolo Valor Unidade Coletor-Emissor Voltagem VCES 440 V

Voltagem Coletor-Portão VCER 440 V

Voltagem gate-emissor VGE 15 V

Coletor Corrente Contínua @ TC = 25 ° C - IC Pulsado 50

ADC AAC Corrente de portão contínua IG 1.0 mA

Corrente de Portão Transiente (t ≤ 2 ms, f ≤ 100 Hz) IG 20 mA

ESD (modelo de dispositivo carregado) ESD 2.0 kV

ESD (Modelo do Corpo Humano) R = 1500,

C = 100 pF ESD 8,0 kV ESD (modelo de máquina) R = 0, C = 200 pF

ESD 500 V Dissipação de energia total @ TC = 25 ° C

Derate acima de 25 ° C PD 125 0,83 WW / ° C

Faixa de temperatura de operação e armazenamento TJ, Tstg -55 a +175 ° C

Uma parte da lista de ações