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Microplaqueta MCU de 16 bits do circuito integrado ST10F269-Q3 COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAM

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Microplaqueta MCU de 16 bits do circuito integrado ST10F269-Q3 COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAM

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Número de modelo :ST10F269-Q3
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8500PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão nos pinos de VDD no que diz respeito à terra :-0,5 a +6,5 V
Tensão em algum Pin no que diz respeito à terra :-0,5 (VDD +0,5) a V
Corrente de entrada em algum pino durante a condição de sobrecarga :-10 a +10 miliampères
Dissipação de poder :1,5 W
Temperatura ambiental sob a polarização :°C -40 a +125
A temperatura de armazenamento :°C -65 a +150
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ST10F269

MCU de 16 bits COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAM

 

Processador central do ELEVADO DESEMPENHO 40MHz do ■ COM FUNÇÃO de DSP

  – processador central de 16 bits COM O ENCANAMENTO 4-STAGE

  – TEMPO de CICLO da INSTRUÇÃO 50ns No PULSO DE DISPARO do PROCESSADOR CENTRAL de 40MHz MAX

  – UNIDADE de MULTIPLY/ACCUMULATE (MAC) MULTIPLICAÇÃO de 16 bits de 16 x, ACUMULADOR 40-BIT

  – UNIDADE DE REPETIÇÃO

  – FACILIDADES BOOLEANAS AUMENTADAS DA MANIPULAÇÃO DE BOCADO

  – INSTRUÇÕES ADICIONAIS PARA APOIAR HLL E SISTEMAS OPERACIONAIS

  – APOIO DO INTERRUPTOR DE CONTEXTO DE SINGLE-CYCLE

ORGANIZAÇÃO DA MEMÓRIA DO ■

  – 256K TENSÃO da MEMÓRIA FLASH do BYTE ON-CHIP ÚNICA COM CONTROLADOR de ERASE/PROGRAM.

  – CICLOS de 100K ERASING/PROGRAMMING.

  – O ESPAÇO PARA ENDEREÇO LINEAR do BYTE de ATÉ 16M PARA o CÓDIGO E os DADOS (BYTES de 5M COM LATA)

  – 2K BYTE ON-CHIP RAM INTERNO (IRAM)

  – 10K EXTENSÃO RAM do BYTE ON-CHIP (XRAM)

ÔNIBUS RÁPIDO E FLEXÍVEL DO ■

  – CARACTERÍSTICAS EXTERNOS PROGRAMÁVEIS DO ÔNIBUS PARA ESCALAS DE ENDEREÇO DIFERENTES

  – ÔNIBUS de DADOS EXTERNOS de 8 bits OU de 16 bits

  – ÔNIBUS EXTERNOS MULTIPLEXADOS OU DEMULTIPLEXED DE ADDRESS/DATA

  – CINCO SINAIS MICROPLAQUETA-SELETOS PROGRAMÁVEIS

  – APOIO DO ARBÍTRIO DO ÔNIBUS DE HOLD-ACKNOWLEDGE

INTERRUPÇÃO do ■

  – CONTROLADOR do EVENTO PERIFÉRICO do 8-CANAL PARA ÚNICA DADOS CONDUZIDOS do CICLO INTERRUPÇÃO

     TRANSFERÊNCIA

  – SISTEMA de INTERRUPÇÃO 16-PRIORITY-LEVEL COM 56 FONTES, TAXA de AMOSTRA PARA BAIXO A 25ns

TEMPORIZADORES do ■

  – DUAS UNIDADES DE USO GERAL MULTI-FUNCIONAIS DO TEMPORIZADOR COM 5 TEMPORIZADORES

a CAPTAÇÃO 16-CHANNEL do ■ DOIS/COMPARA UNIDADES

CONVERSOR DO A/D DO ■

  – 16-CHANNEL 10-BIT

  – TEMPO da CONVERSÃO 4.85µs No PULSO DE DISPARO do PROCESSADOR CENTRAL 40MHz

UNIDADE do ■ 4-CHANNEL PWM

CANAIS DA SÉRIE DO ■

  – CANAL DE SÉRIE SÍNCRONO/ASSÍNCRONO

  – CANAL SÍNCRONO DE ALTA VELOCIDADE

O ■ DOIS PODE AS RELAÇÕES 2.0B que OPERAM-SE EM UM OU DOIS PODE ÔNIBUS

  (30 OU OBJETOS da MENSAGEM 2x15)

PROTEÇÃO DA SEGURANÇA CONTRA FALHAS DO ■

  – TEMPORIZADOR DE CÃO DE GUARDA PROGRAMÁVEL

  – CÃO DE GUARDA DO OSCILADOR

CARREGADOR DE TIRA DE BOTA DO ■ ON-CHIP

GERAÇÃO DE PULSO DE DISPARO DO ■

  – ON-CHIP PLL

  – DIRIJA OU ENTRADA DE PULSO DE DISPARO DE PRESCALED

PULSO DE DISPARO DE TEMPO REAL DO ■

■ ATÉ 111 LINHAS DE USO GERAL DO I/O

  – INDIVIDUALMENTE PROGRAMÁVEL COMO A ENTRADA, A SAÍDA OU A FUNÇÃO ESPECIAL

  – PONTO INICIAL PROGRAMÁVEL (HISTERESE)

MODOS DA QUIETUDE E DO PODER DO ■ PARA BAIXO

FONTE DA TENSÃO DO ■ ÚNICA: 5V ±10% (REGULADOR ENCAIXADO PARA a FONTE do NÚCLEO de 3,3 V).

VARIAÇÃO DA TEMPERATURA DO ■: -40 +125° C

PACOTE do ■ 144-PIN PQFP

 

Microplaqueta MCU de 16 bits do circuito integrado ST10F269-Q3 COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAMMicroplaqueta MCU de 16 bits do circuito integrado ST10F269-Q3 COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAM

 

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VDD Tensão nos pinos de VDD no que diz respeito à terra1 -0,5, +6,5 V
VIO Tensão em algum pino no que diz respeito à terra1 -0,5, (DD +0,5 DE V) V
VAREF Tensão no pinode VAREF no que diz respeito à terra1 -0,3, (DD +0,3 DE V) V
MIMOV Corrente de entrada em algum pino durante a condição-1 da sobrecarga -10, +10 miliampère
MIMTOV Soma absoluta de todas as correntes de entrada durante a condição-1 da sobrecarga |100| miliampère
Pequenode P Dissipação de poder1 1,5 W
TA Temperatura ambiental sob a polarização -40, +125 °C
Stgde T Temperatura de armazenamento1 -65, +150 °C

Nota: 1. os esforços acima daqueles alistados sob “avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operação funcional do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada. A exposição às condições da avaliação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiança do dispositivo. Durante as condições de sobrecarga (VEM >DDde V ou V< V=""> NOS SS) a tensão nos pinos no que diz respeito à terra (VSS) não deve exceder os valores definidos pelas avaliações máximas absolutas.

 

Símbolo de lógica

Microplaqueta MCU de 16 bits do circuito integrado ST10F269-Q3 COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAM

 

Configuração de Pin (vista superior)

Microplaqueta MCU de 16 bits do circuito integrado ST10F269-Q3 COM MEMÓRIA FLASH da UNIDADE, do BYTE 256K E 12K o BYTE do MAC RAM

 

 

 

 

 

 

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