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Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal

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Número de modelo :MMBF170
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8600pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :60 V
Tensão da Dreno-porta (RGS < 1MW) :60 V
Tensão da Porta-Fonte :± 20 V
Corrente do dreno - contínua :500 mA
Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento :°C -55 a 150
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BS170/MMBF170

Transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal

 

Descrição geral

Estes transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Estes produtos estiveram projetados minimizar a resistência do em-estado quando forneça o desempenho áspero, seguro, e rápido do interruptor. Podem ser usados na maioria de aplicações que exigem até C.C. 500mA. Estes produtos são seridos particularmente para a baixa tensão, baixas aplicações atuais tais como o controlo do motor servo pequeno, motoristas da porta do MOSFET do poder, e outras aplicações do interruptor.

 

Características

  • Projeto high-density da pilha para baixo RDS(SOBRE).
  • Interruptor pequeno controlado do sinal da tensão.
  • Áspero e seguro.
  • Capacidade alta da corrente de saturação.

Avaliações máximas absolutas TA = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro BS170 MMBF170 Unidade
VDSS Tensão da Dreno-fonte 60 V
VDGR Tensão da Dreno-porta (RGS < 1MW=""> 60 V
VGSS Tensão da Porta-fonte ± 20 V
MIMD

Corrente do dreno - contínua

                      - Pulsado

500 500 miliampère
1200 800 miliampère
PD

Dissipação de poder máxima

Derate acima de 25°C

830 300 mW
6,6 2,4 mW/°C
TJ, TSTG Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento -55 a 150 °C
TL Temperatura máxima para finalidades de solda, 1/16 da ligação” do argumento por 10 segundos 300 °C
  CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
RdoθJA Resistacne térmico, Junção-à-ambiental 150 417 °C/W

 

Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal

               

                 Circuito do teste do interruptor.                                   Formas de onda do interruptor.

Transistor do Mosfet do poder MMBF170, N - transistor de efeito de campo do modo do realce do canal

 

 

 

 

 

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