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Transistor do mosfet do poder superior de MJD112T4G, transistor de poder complementares de Darlington
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Transistor de poder complementares de Darlington
DPAK para as aplicações de superfície da montagem
TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE
2 AMPÈRES
100 VOLTS
20 WATTS
Projetado para o poder e o interruptor de uso geral tal como fases da saída ou de motorista nas aplicações tais como reguladores de interruptor, conversores, e amplificadores de potência.
Características
• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis
• Ligação formada para as aplicações de superfície da montagem nas luvas plásticas (nenhum sufixo)
• Versão reta da ligação nas luvas plásticas (sufixo “−1”)
• Conduza a versão formada na fita de 16 milímetros e no carretel (“T4” e o sufixo de “RL”)
• Eletricamente similar à série TIP31 e TIP32 popular
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
| Avaliação | Símbolo | Máximo | Unidade |
| Tensão de Collector−Emitter | VCEO | 100 | VDC |
| Tensão de Collector−Base | VCB | 100 | VDC |
| Tensão de Emitter−Base | VEB | 5 | VDC |
|
− da corrente de coletor contínuo Pico |
MIMC |
2 4 |
CAD |
| Corrente baixa | MIMB | 50 | mAdc |
|
Dissipação de poder total @ TC = 25°C Derate acima de 25°C |
PD |
20 0,16 |
W W/°C |
|
Poder total Dissipation* @ Ta = 25°C Derate acima de 25°C |
PD |
1,75 0,014 |
W W/°C |
| Funcionamento e variação da temperatura da junção do armazenamento | TJ, stgde T | −65 a +150 | °C |
As avaliações máximas são aqueles valores além de que dano do dispositivo pode ocorrer. As avaliações máximas aplicadas ao dispositivo são valores de limite individuais do esforço (condições operacionais não normais) e são inválidas simultaneamente. Se estes limites são excedidos, a operação funcional do dispositivo não está implicada, dano pode ocorrer e a confiança pode ser afetada.
DIAGRAMAS DA MARCAÇÃO
DIMENSÕES DO PACOTE
DPAK
CASO 369C
EDIÇÃO O
DPAK−3
CASO 369D−01
EDIÇÃO B