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Transistor de uso geral de alta tensão 2SD1290 do npn do silicone construído no diodo mais úmido
DESCRIÇÃO
·Com pacote de TO-3PN
·Diodo incorporado do amortecedor
·Alta tensão, confiança alta
·Vasta área da operação segura
APLICAÇÕES
·Para a deflexão horizontal da tevê da cor
aplicações da saída
| PIN | DESCRIÇÃO |
| 1 | Base |
| 2 |
Coletor; conectado a montar a base |
| 3 | Emissor |
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | VALOR | UNIDADE |
| VCBO | tensão da Coletor-base | Abra o emissor | 1500 | V |
| VEBO | tensão da Emissor-base | Abra o coletor | 5 | V |
| MIMC | Corrente de coletor (C.C.) | 3 | A | |
| MIMCM | Corrente de coletor (pulso) | 10 | A | |
| PC | Dissipação de poder do coletor | TC=25℃ | 50 | W |
| Tj | Temperatura de junção | 130 | ℃ | |
| Stgde T | Temperatura de armazenamento | -55~130 | ℃ |
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | MÍNIMO. | TIPO. | MÁXIMO. | UNIDADE |
| V(BR)EBO | tensão de divisão da Emissor-base | ISTO É =500mA; MIMC=0 | 5 | V | ||
| VCEsat | tensão de saturação do Coletor-emissor | MIMC=2A; MIMB=0.75A | 5,0 | V | ||
| VBEsat | Tensão de saturação do emissor de base | MIMC=2A; MIMB=0.75A | 1,5 | V | ||
| MIMCBO | Corrente de interrupção de coletor |
VCB=750V; ISTO É =0 VCB=1500V; ISTO É =0 |
50 1 |
μA miliampère |
||
| FEde h | Ganho atual de C.C. | MIMC=2A; VCE=10V | 3 | 8 | ||
| ts | Tempo de armazenamento | MIMC=2A mimLeak=0.75A, LB=5μH | 3 | 7 | μs | |
| tf | Tempo de queda | 1 | μs | |||
| VF | Tensão dianteira do diodo | MIMF=-4A, IB=0 | 2,2 | V |
ESBOÇO DO PACOTE