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A placa de circuito dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B lasca o componente eletrônico

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Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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China A placa de circuito dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B lasca o componente eletrônico wholesale
  • China A placa de circuito dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B lasca o componente eletrônico wholesale

A placa de circuito dos diodos de Zener do poder do silicone 1N5358B lasca o componente eletrônico
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Número de modelo :SST25VF016B-50-4I-S2AF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :5 Pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10000pcs/day
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-nos para mais detalhes
Dissipação de poder máxima :5w
Z-tensão nominal :8,7… 200 V
Caixa de plástico :DO-201
Peso aproximadamente :0,8 g
Tolerância :±5%
Tipo :Diodos
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Diodos do Silicone-poder-Zener 1N5358B
 
Diodos do Silicone-poder-Zener (tecnologia não-planar)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
 
Z-tensão nominal máxima Nominale Z-Spannung de Maximale Verlustleistung da dissipação de poder
O material plástico de Gewicht CA do peso de Kunststoffgehäuse da capa de plástico aproximadamente tem a classificação 94V-0 do UL
Empacotamento do padrão do klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0 gravado no gegurtet padrão de Lieferform do bloco da munição no Munição-bloco
 
A tolerância padrão da tensão de Zener é ±5%). Outras tolerâncias da tensão e mais altas tensões de Zener a pedido.
Morrem as ISTs de Zener-Spannung do der de Toleranz no padrão-Ausführung ±5% do der. Höhere de Andere Toleranzen oder
Auf Anfrage de Arbeitsspannungen.
 
Dissipação de poder Verlustleistung
Ptot
5 W 1)
Dissipação de poder máximo não repetitiva, t < 10="" ms="">
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms="">
PZSM
 
80 W
 
Temperatura de junção de funcionamento – Sperrschichttemperatur
Temperatura de armazenamento – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50… +150°C
-50… +175°C
Junção da resistência térmica ao ar ambiental
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25="" K="">
Junção da resistência térmica ao terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
 RthL <8 K="">

 

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Etiquetas de Produtos:

silicon diode 1n4001

semiconductor integrated circuit

datasheet 7 segment common anode
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