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A microplaqueta do circuito integrado 74HC20D, Dual 4 componentes eletrônicos entrados de IC da porta de NAND
Dual a porta de NAND entrada 4 74HC/HCT20
CARACTERÍSTICAS
• Capacidade da saída: padrão
• Mim categoria docentímetro cúbico: SSI
DESCRIÇÃO GERAL
Os 74HC/HCT20 são dispositivos de alta velocidade do CMOS da Si-porta e são pino compatível com baixa potência Schottky TTL (LSTTL). São especificados em conformidade com o padrão não 7A de JEDEC. Os 74HC/HCT20 fornecem a função entrada 4 do NAND.
DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDA
TERRA = 0 V; Ambde T = °C 25; tr = tf = 6 ns
| SÍMBOLO | PARÂMETRO | CIRCUNSTÂNCIAS | TÍPICO | UNIDADE | |
| HC | HCT | ||||
| tPHL/tPLH | nA do atraso de propagação, N.B., nC, nD ao nY | CL = 15 PF; VCENTÍMETRO CÚBICO = 5 V | 8 | 13 | ns |
| CMIM | capacidade da entrada | 3,5 | 3,5 | PF | |
| PALÁDIODE C | capacidade da dissipação de poder pelo pacote | notas 1 e 2 | 22 | 17 | PF |
Notas
1. Opaládiode C é usado para determinar a dissipação de poder dinâmica (PD no µW):
Pcentímetro cúbico do × fdo × V dopaládiodeD = de C2mim + ∑ (CLcentímetro cúbico do × fo do × V2) onde:
fmim = frequência entrada no megahertz
fo = frequência output no megahertz
CL = capacidade output da carga no PF
V tensão docentímetro cúbico = de fonte em V
∑ (CLcentímetro cúbico do × fo do × V2) = soma das saídas
2. Para HC a circunstância é Vmim = terra a Vcentímetro cúbico
Para HCT a circunstância é Vmim = terra ao − 1,5 V de Vcentímetro cúbico
