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O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V

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China O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V wholesale
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O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V
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Número de modelo :BSM50GP120
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :4500PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão dianteira :1,05 V
Tensão do ponto inicial :0,8 V
resistência da inclinação :6,5 m Ω
Corrente reversa :3 miliampères
resistência da ligação, terminal-microplaqueta :4 m Ω
Temperatura de junção máxima :°C 150
Temperatura de operação :°C -40 a 125
A temperatura de armazenamento :°C -40 a 125
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Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
HIN202CBN 16402 INTERSIL 16+ CONCESSÃO
HIP0082AB 6910 INTERSIL 16+ HSOP
HIP4082IP 3469 INTERSIL 15+ DIP-16
HIP4082IPZ 7664 NTERSIL 16+ DIP-16
HJR-3FF-S-Z-24VDC 9641 TIANBO 13+ MERGULHO
HJR-3FF-S-Z-5VDC 12765 TIANBO 16+ MERGULHO
HK160882NJ-T 20000 TAIYO 16+ SMD
HK1608R47J-T 20000 TAIYO 15+ SMD
HM6264ALFP-10T 3440 HITACHI 16+ SOP-28
HMA121CR3V 15758 FAIRCHILD 09+ SOP-4
HMC241QS16ETR 6244 HITTITE 15+ SSOP-16
HMC311SC70E 1242 HITTITE 14+ SC70-6
HMC336MS8GE 2565 HITTITE 13+ MSOP-8
HMC336MS8GETR 8737 HITTITE 07+ MSOP
HMC349AMS8GE 4906 HITTITE 16+ MSOP-8
HMC362S8G 1795 HITTITE 12+ SOP-8
HMC429LP4ETR 1093 HITTITE 15+ HCP-16
HMC476MP86E 2596 HITTITE 15+ SOT-86
HMC539LP3ETR 1984 HITTITE 12+ QFN
HMC618LP3ETR 1199 HITTITE 10+ QFN
HN16012CG 7669 MINGTEK 13+ SOP-16
HN16613CG 9641 MINGTEK 13+ SOP-16
HN16614CG 3522 MINGTEK 16+ SOP-16
HR911105A 3493 HANRUN 14+ RJ45
HS01G 21143 EM 14+ SOP-8
HSMG-C170 89000 AVAGO 07+ SMD
HSMH-C170 92000 AVAGO 07+ SMD0805R
HSMM-A100-S00J1 26000 AVAGO 14+ SMD
HSMP-3816-TR1G 5933 AVAGO 15+ SOT23-5
HSMS-2820-TR1G 36000 ACVAGO 13+ SOT-23

 

 

IGBT-módulo BSM50GP120

 

Propriedades elétricas

 

Valores avaliados do máximo

Retificador de diodo

tensão reversa máxima repetitiva   VRRM 1600 V
Corrente dianteira do RMS pela microplaqueta   MIMFRMSM 40 A
A C.C. envia a corrente TC = 80°C Mimd 50 A
o impulso envia a corrente

tP = 10 Senhora, vjde T = 25°C

tP = 10 Senhora, vjde T = 150°C

 MIMFSM

500

400

 A
Mim 2 t - valor

tP = 10 Senhora, vjde T = 25°C

tP = 10 Senhora, vjde T = 150°C

 Mim 2 t

1250

800

 Uns2 s

 

Esquema de circuito

O módulo de poder do Mosfet BSM50GP120, eletrônica CI de IGBT lasca 0,8 tensões do ponto inicial de V

 

Esboços do pacote

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igbt gate voltage

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