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MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

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Número de modelo :FQP30N06
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :6900pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :60 V
Tensão da Porta-Fonte :± 25 V
Escolha a energia pulsada da avalancha :280 mJ
Corrente da avalancha :30 A
Energia repetitiva da avalancha :7,9 mJ
Funcionamento e temperatura de armazenamento :°C -55 a +175
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Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 MICROCHIP 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 MICROCHIP 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 MICROCHIP 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 MICROCHIP 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 MICROCHIP 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 MICROCHIP 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 MICROCHIP 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 MICROCHIP 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 MICROCHIP 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 MICROCHIP 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 MICROCHIP 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 MICROCHIP 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 MICROCHIP 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 MICROCHIP 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 MICROCHIP 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 MICROCHIP 15+ MERGULHO
MCP3421AOT-E/CH 12828 MICROCHIP 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 MICROCHIP 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 MICROCHIP 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 MICROCHIP 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 MICROCHIP 15+ SOP-8

 

 

FQP30N06

MOSFET do N-canal 60V

 

Descrição geral

Estes transistor de efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, listra planar, tecnologia de DMOS.

 

Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho superior do interruptor, e para suportar o pulso do de alta energia no modo da avalancha e da comutação. Estes dispositivos são poço - serido para aplicações da baixa tensão tais como conversores automotivos, da C.C. da C.C., e interruptor da eficiência elevada para a gestão do poder em produtos portáteis e a pilhas.

 

Características

• 30A, 60V, RDS (sobre) = @V 0.04ΩGS = 10 V

• Baixa carga da porta (19 típicos nC)

• Baixo Crss (40 típicos PF)

• Interruptor rápido

• avalancha 100% testada

• Capacidade melhorada de dv/dt

• avaliação máxima da temperatura de junção 175°C

 

Avaliações máximas absolutas TC = 25°C salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro FQP30N06 Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte 60 V
MIMD

Corrente do dreno - contínua (TC = 25°C)

                    - Contínuo (TC = 100°C)

30 A
21,3 A
MIMDM Corrente do dreno - pulsada (nota 1) 120 A
VGSS Tensão da Porta-fonte ± 25 V
ECOMO Escolha a energia pulsada da avalancha (nota 2) 280 mJ
MIMAR Corrente da avalancha (nota 1) 30 A
EAR Energia repetitiva da avalancha (nota 1) 7,9 mJ
dv/dt Recuperação máxima dv/dt do diodo (nota 3) 7,0 V/ns
PD

Dissipação de poder (TC = 25°C)

                       - Derate acima de 25°C

79 W
0,53 W/°C
TJ, TSTG Funcionamento e variação da temperatura do armazenamento -55 a +175 °C
TL Temperatura máxima para finalidades de solda, 1/8" da ligação do argumento por 5 segundos 300 °C

 

MOSFET do N-canal do mosfet CI do poder do transistor do Mosfet do poder FQP30N06

 

 

 

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