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Semicondutor integrado programado da placa de circuito da eletrônica de MC14584BDR2G

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Semicondutor integrado programado da placa de circuito da eletrônica de MC14584BDR2G

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Número de modelo :MC14584BDR2G
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8100pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão de fonte da C.C. :−0.5 a +18,0 V
Tensão da entrada ou da saída :−0.5 a VDD + 0,5 V
Corrente da entrada ou de saída :±10 miliampère
Dissipação de poder, pelo pacote :500 mW
Temperatura ambiente :−55 ao °C +125
A temperatura de armazenamento :−65 ao °C +150
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Semicondutor integrado programado da placa de circuito da eletrônica de MC14584BDR2G

 

 

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Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
NJM2575F1 6533 JRC 05+ SOT23-6
NJM2902M 76000 JRC 16+ SOP-14
NJM4565D 62000 JRC 16+ SOP-14
NJM4565M 78000 JRC 13+ SOP-8
NJM4741D 5137 JRC 13+ DIP-14
NJM4741M 6091 JRC 16+ SOP-14
NJW0302G/NJW0281G 5000 EM 16+ TO-3P
NLCV32T-3R3M-PF 8000 TDK 06+ SMD
NLFC322522T-100K-PF 12000 TDK 08+ SMD
NLFC322522T-2R2M-PF 20000 TDK 08+ SMD
NPCE781LAODX 2831 NUVOTON 10+ QFP
NR6028T4R7M 79000 TAIYO 11+ SMD
NR6045T6R3M 53000 TAIYO 14+ SMD
NRF24L01 5018 NORDIC 16+ QFN20
NRF51822-QFAA 7026 NORDIC 16+ QFN48
NSR0230P2T5G 140000 EM 14+ SOD-923
NSR0340V2T1G 21000 EM 12+ SOD-523
NT5DS16M16CS-6K 7077 NANYA 09+ TSOP-66
NT5DS64M8CS-5T 4011 NANYA 16+ TSOP-66
NTD3055L104T4G 20220 EM 16+ TO-252
NTD5802NT4G 19297 EM 14+ TO-252
NTD5865NLT4G 60000 EM 14+ TO-252
NTF3055-100T1G 16102 EM 15+ SOT-223
NTF3055L108T1G 11716 EM 15+ SOT-223
NTF3055L175T1G 16173 EM 09+ SOT-223
NTMD4820NR2G 15124 EM 13+ SOT-8
NTR1P02LT1G 143000 EM 05+ SOT-8
NTR2101PT1G 27000 EM 07+ SOT-23
NTR4501NT1G 76000 EM 15+ SOT-23
NTUD3169CZT5G 11787 EM 16+ SOT-963

 

 

MC14584B

Encantar o disparador de Schmitt

 

Os MC14584B encantam Schmitt que o disparador é construído com MOS P−channel e dispositivos do modo do realce de N−channel em uma única estrutura monolítica. Estes dispositivos encontram o uso preliminar onde a dissipação de baixa potência e/ou a imunidade de ruído alta são desejadas. O MC14584B pode ser usado no lugar do MC14069UB encanta o inversor para a imunidade de ruído aumentada “esquadra acima” formas de onda lentamente em mudança.

 

Características

• Escala da tensão de fonte = 3,0 VDC a 18 VDC

• Capaz de conduzir duas cargas de Low−power TTL ou uma carga de Low−power Schottky TTL sobre a variação da temperatura avaliado

• Proteção do diodo dobro em todas as entradas

• Pode ser usado para substituir MC14069UB

• Para a maior histerese, uso MC14106B que é substituição de Pin−for−Pin para CD40106B e MM74Cl4

• Os pacotes de Pb−Free estão disponíveis

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (tensões providas a VSS)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VDD Escala da tensão de fonte da C.C. −0.5 a +18,0 V
Vdentro, Vpara fora  Escala da tensão da entrada ou da saída (C.C. ou transeunte) −0.5 a VDD + 0,5 V
Mimdentro, Ipara fora Corrente da entrada ou de saída (C.C. ou transeunte) pelo Pin ±10 miliampère
PD Dissipação de poder, pelo pacote (nota 1) 500 mW
TA Variação da temperatura ambiental −55 a +125 °C
Tstg Variação da temperatura do armazenamento −65 a +150 °C
TL Temperatura da ligação (soldar 8−Second) 260 °C

 

Os esforços que excedem avaliações máximas podem danificar o dispositivo. As avaliações máximas são avaliações do esforço somente. A operação funcional acima das condições operacionais recomendadas não é implicada. A exposição prolongada aos esforços acima das condições operacionais recomendadas pode afetar a confiança do dispositivo.

1. Temperatura que Derating:

    Pacotes do plástico “P e D/DW”: – 7,0 mW/°C de 65°C a 125°C 

 

Este dispositivo contém circuitos da proteção para guardar contra dano devido às altas tensões estáticas ou aos campos bondes. Contudo, as precauções devem ser tomadas para evitar mais altamente aplicações de toda a tensão do que tensões avaliadas máximo a este circuito do high−impedance. Para a operação apropriada, Vdentro e Vpara fora devem ser forçados aoDD da escala VSS (Vdentro ou Vpara fora) V.

 

As entradas não utilizadas devem sempre ser amarradas a um nível de tensão apropriado da lógica (DD por exemplo, de V SSou de V). As saídas não utilizadas devem ser deixadas abertas.

 

Semicondutor integrado programado da placa de circuito da eletrônica de MC14584BDR2G

 

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