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TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412

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China TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412 wholesale
  • China TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412 wholesale

TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412
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Número de modelo :2SA1412
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7900pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Coletor à tensão baixa :−400 V
Coletor à tensão do emissor :−400 V
Base à tensão do emissor :−7 V
Corrente de coletor (C.C.) :−2.0 A
Temperatura de junção :°C 150
A temperatura de armazenamento :−55 ao °C +150
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Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
REF5025AIDGKR 7693 SI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 SI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 SI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563
RPR-220 3874 ROHM 14+ DIP-4
RR264MM-400TR 12000 ROHM 15+ SOD-123
RS1J-E3/61T 45000 VISHAY 16+ DO-214AC
RS3MB-13-F 18000 DIODOS 16+ DO-214AA
RS507 88000 SETEMBRO 16+ DIP-4
RSA5MG 164000 ROHM 16+ SOD-123
RSX101VA-30TR 66000 ROHM 15+ SOD-323
RT314012 3836 TYCO 13+ DIP-8
RT7257AHZSP 7602 RICHTEK 14+ SOP-8
RT8011APQW 20000 RICHTEK 14+ QFN
RT8250GSP 19368 RICHTEK 13+ SOP-8
RT8289GSP 6446 RICHTEK 12+ SOP-8
RT9161A-33PG 40000 RICHTEK 15+ SOT-223
RT9162-33PX 66000 RICHTEK 14+ SOT-89
RT9167A-33GB 11000 RICHTEK 13+ SOT23-5
RT9167A-50GB 23060 RICHTEK 16+ SOT23-5
RT9701PBL 90000 RICHTEK 13+ SOT23-5
RT9715EGB 67000 RICHTEK 11+ SOT23-5
RTC72421A 6330 EPSON 14+ DIP-18
RTD2271CW-CG 3861 REALTEK 12+ QFP128
RTL8111F-CG 3855 REALTEK 14+ QFN48
RU190N08Q 16236 RUICHIPS 16+ TO-247

 

 

TRANSISTOR DE PODER 2SA1412-Z DO SILICONE

TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE DO SILICONE DE PNP

 

DESCRIÇÃO

O 2SA1412-Z é projetado para o interruptor de alta tensão, especialmente em circuitos integrados híbridos.

 

CARACTERÍSTICAS

• Alta tensão: VCEO = −400 V

• Alta velocidade: μs do ≤ 0,7 do tf

• Complemento a 2SC3631-Z

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA = 25°C)

Coletor à tensão baixa VCBO −400 V

Coletor aoCEO −400 Vda tensão V do emissor

Base à tensão VEBO −7 V do emissor

Corrente de coletor (C.C.) IC(C.C.) −2.0 A

Nota 1 IC da corrente de coletor (pulso)(pulso) −4.0 A

Dissipação de poder total (Ta = 25°C) nota 2 PT 2,0 W

°C da temperatura de junção Tj 150

Stg −55 da temperaturade armazenamento T ao °C +150

                                                                                                                                                    

Notas Senhora do ≤ 10 de 1. picowatts, ≤ 50% do ciclo de dever

            2. Quando montado em uma carcaça cerâmica de 7,5 cm2 de × 0,7 milímetros  

 

DESENHO do PACOTE (unidade: milímetro)

TRANSISTOR de PODER do SILICONE do transistor do Mosfet do poder 2SA1412

 

 

 

Etiquetas de Produtos:

p55nfo power mosfet

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