Casa / Produtos / Power Mosfet Transistor /

MOSFET bonde do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRL3713PBF

Categorias de Produtos

microplaqueta do circuito integrado

microplaquetas programáveis do CI

Chips de placa de circuito

Diodo de retificador

Transistor do Mosfet do poder

3 Pin Transistor

RJ45 Ethernet Jack

Pressão Sensor IC

Módulo de Alimentação MOSFET

SMD Ferrite Bead

o smd conduziu o diodo

SMD Resistências

Chips eletrônicos IC

componentes da eletrônica

Contate

Anterwell Technology Ltd.

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MissSharon Yang

Ver detalhes de contato

Contate

China MOSFET bonde do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRL3713PBF wholesale

China MOSFET bonde do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRL3713PBF wholesale

MOSFET bonde do poder do transistor CI HEXFET do Mosfet do poder de IRL3713PBF

Pergunte o preço mais recente

Número de modelo :IRL3713PBF

Lugar de origem :Fábrica original

Quantidade de ordem mínima :20pcs

Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :8300pcs

Tempo de entrega :dia 1

Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes

tensão da Dreno-fonte :30 V

Tensão da Porta-à-fonte :± 20 V

Corrente pulsada do dreno :A 1040

Fator Derating linear :2,2 W/°C

Temperatura de junção :-55 a +175°C

A temperatura de armazenamento :-55 a +175°C

more

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

IRL3713PbF IRL3713SPbF IRL3713LPbF

MOSFET de potência HEXFET

MOSFET SMPS

Aplicações

Conversores DC-DC Isolados de Alta Freqüência com Rectificação Síncrona para Telecom e Uso Industrial
Conversores de Buck de alta freqüência para processador de computador Power
100% RG Testado
Sem chumbo

Benefícios

Impedância de Gate Ultra-Low
Muito baixo R _{DS (ligado)} a 4.5VV _GS
Voltagem e corrente de avalancha completamente caracterizadas

Classificações máximas absolutas

Símbolo	Parâmetro	Max	Unidades
V _DS	Tensão de drenagem-fonte	30	V
V _GS	Tensão de gate-to-Source	± 20	V
I _D @ T _C = 25 ° C	Corrente de dreno contínua, V _GS @ 10V	260	UMA
I _D @ T _C = 100 ° C	Corrente de dreno contínua, V _GS @ 10V	180	UMA
Eu _m	Corrente de dreno pulsado	1040	UMA
P _D @ T _C = 25 ° C	Dissipação de energia máxima	330	W
P _D @ T _C = 100 ° C	Dissipação de energia máxima	170	W
	Fator de Derating Linear	2.2	BANHEIRO
T _J , T _STG	Faixa de temperatura de junção e armazenamento	-55 a +175	° C

Oferta de ações (venda quente)

Nº da peça

Quantidade

Marca

D / C

Pacote

G5V-1-DC9	6255	OMRON	15+	MERGULHO
G5V-2-12VDC	7727	OMRON	14+	MERGULHO
G60N100BNTD	3498	FAIRCHILD	13+	TO-264
G65SC51P-2	6939	CMD	16+	DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC	10509	OMRON	13+	SOP-8
GAL16V8D-25LP	5311	LATTICE	16+	DIP-20
GBL08-E3 / 51	13704	VISHAY	14+	DIP-4
GBPC3508W-E4 / 51	8669	VISHAY	16+	DIP-4
GBU408	90000	SEP	13+	ZIP-4
GBU6K	14556	LRC	13+	SIP-4
GBU8M	17593	VISHAY	15+	DIP-4
GE865-QUAD	1285	TELIT	14+	GPRS
GIPS20K60	2254	ST	13+	MÓDULO
GL34A	4000	DIOTEC	13+	DO-213AA
GL41D	20000	GS	13+	LL41
GL852G-MNG12	7574	GENESYS	15+	LQFP-48
GL865 DUAL	1174	TELIT	10+	GPRS
GLL4760-E3 / 97	24000	VISHAY	10+	N / D
GP1S094HCZ0F	5752	AFIADO	13+	DIP-4
GS2978-CNE3	2125	GENNUM	15+	QFN16
GS2984-INE3	1336	GENNUM	13+	QFN
GS2988-INE3	6693	GENNUM	16+	QFN16
GS3137-08-TAZ	2008	CONEXANT	09+	TSSOP
GSIB2580-E3 / 45	4938	VISHAY	16+	GSIB-5S
GSOT03C-GS08	7000	Vishay	15+	SOT-23
GVA-63 +	8824	MINI	15+	SOT-23
GVA-84 +	4397	MINI	14+	SOT-89
H11AA1SR2M	14966	FAIRCHILD	14+	SOP-6
H11AA4	15037	FAIRCHILD	14+	MERGULHO
H11AG1SR2M	4006	FAIRCHILD	14+	SOP-6

Etiquetas de Produtos:

hexfet power mosfet

igbt mosfet

p55nfo power mosfet

Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4