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MOSFET duplo de PowerTrench da lógica do canal do transistor N do Mosfet do poder de FDS6990A

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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MOSFET duplo de PowerTrench da lógica do canal do transistor N do Mosfet do poder de FDS6990A

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Número de modelo :FDS6990A
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :7000PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :30 V
Tensão da Porta-Fonte :± 20 V
Temperatura de junção de funcionamento :– °C 55 a +150
A temperatura de armazenamento :– °C 55 a +150
Resistência térmica, Junção-à-ambiental :78 °C/W
Resistência térmica, Junção-à-caso :40 °C/W
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MOSFET duplo de PowerTrench da lógica do canal do transistor N do Mosfet do poder de FDS6990A

 

Descrição geral

Estes MOSFETs do nível da lógica do N-canal são produzidos usando o processo avançado do PowerTrench do semicondutor de Fairchild que foi costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado no entanto para manter o desempenho superior do interruptor.

 

Estes dispositivos são poço - serido para a baixa tensão e as aplicações a pilhas onde a baixa em-linha perda de poder e interruptor rápido é exigida.

 

Características

· 7,5 A, 30 V.RDS(SOBRE) = 18 mW @ VGS = 10 V

                        RDS(SOBRE) = 23 mW @ VGS = 4,5 V

· Velocidade de interruptor rápida

· Baixa carga da porta

· Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - baixo RDS(SOBRE)

· Poder superior e capacidade de manipulação atual

 

Avaliações máximas absolutas TA =25℃ salvo disposição em contrário

Símbolo Parâmetro Avaliações Unidades
VDSS Tensão da Dreno-fonte 30 V
VGSS Tensão da Porta-fonte ± 20 V
MIMD

Corrente do dreno – contínua (nota 1a)

– Pulsado

7,5 A
20
PD

Dissipação de poder para a única operação (nota 1a)

                                                               (Nota 1b)

                                                               (Nota 1c)

1,6 W
1,0
0,9
TJ, TSTG Funcionamento e variação da temperatura da junção do armazenamento – 55 a +150

 

MOSFET duplo de PowerTrench da lógica do canal do transistor N do Mosfet do poder de FDS6990A

 

MOSFET duplo de PowerTrench da lógica do canal do transistor N do Mosfet do poder de FDS6990A

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote

 

G5V-1-DC9 6255 OMRON 15+ MERGULHO
G5V-2-12VDC 7727 OMRON 14+ MERGULHO
G60N100BNTD 3498 FAIRCHILD 13+ TO-264
G65SC51P-2 6939 CMD 16+ DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC 10509 OMRON 13+ SOP-8
GAL16V8D-25LP 5311 ESTRUTURA 16+ DIP-20
GBL08-E3/51 13704 VISHAY 14+ DIP-4
GBPC3508W-E4/51 8669 VISHAY 16+ DIP-4
GBU408 90000 SETEMBRO 13+ ZIP-4
GBU6K 14556 LRC 13+ SIP-4
GBU8M 17593 VISHAY 15+ DIP-4
GE865-QUAD 1285 TELIT 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 ST 13+ MÓDULO
GL34A 4000 DIOTEC 13+ DO-213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 GENESYS 15+ LQFP-48
GL865 DUAL 1174 TELIT 10+ GPRS
GLL4760-E3/97 24000 VISHAY 10+ NA
GP1S094HCZ0F 5752 AFIADO 13+ DIP-4
GS2978-CNE3 2125 GENNUM 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 GENNUM 13+ QFN
GS2988-INE3 6693 GENNUM 16+ QFN16
GS3137-08-TAZ 2008 CONEXANT 09+ TSSOP
GSIB2580-E3/45 4938 VISHAY 16+ GSIB-5S
GSOT03C-GS08 7000 VISHAY 15+ SOT-23
GVA-63+ 8824 MINI 15+ SOT-23
GVA-84+ 4397 MINI 14+ SOT-89
H11AA1SR2M 14966 FAIRCHILD 14+ SOP-6
H11AA4 15037 FAIRCHILD 14+ MERGULHO
H11AG1SR2M 4006 FAIRCHILD 14+ SOP-6

 

 

 

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