Transistor transistor de efeito de campo duplo de N do Mosfet do poder de NDS9952A & de P-canal

NDS9952A

Transistor de efeito de campo duplo do modo do realce de N & de P-canal

Descrição geral

Este os transistor duplos do n e de efeito de campo do poder do modo do realce do P-canal são produzidos usando Fairchild proprietária, densidade de pilha alta, tecnologia de DMOS. Este processo muito high-density é costurado especialmente para minimizar a resistência do em-estado, para fornecer o desempenho superior do interruptor, e para suportar pulsos do de alta energia nos modos da avalancha e da comutação. Estes dispositivos são seridos particularmente para aplicações da baixa tensão tais como a gestão do poder do laptop e outros circuitos a pilhas onde o interruptor rápido, a baixa em-linha perda de poder, e a resistência aos transeuntes são precisados.

Características

• N-canal 3.7A, 30V, R_DS(SOBRE) =0.08W @ V_GS =10V.
• P-canal -2.9A, -30V, R_DS(SOBRE) =0.13W @ V_GS =-10V.
• Projeto high-density da pilha ou extremamente - baixo R_DS(SOBRE).
• Poder superior e capacidade de manipulação atual em um pacote de superfície amplamente utilizado da montagem.
• Dual (N & P-canal) o MOSFET no pacote de superfície da montagem.

Avaliações máximas absolutas T_A = 25°C salvo disposição em contrário

Notas: 1. R_doθJA é a soma do junção-à-caso e da resistência térmica caso-à-ambiental onde a referência térmica do caso é definida porque a superfície de montagem da solda dos pinos do dreno. R_doθJC está garantido pelo projeto quando o_θCAde R for determinado pelo projeto da placa do usuário.

R típico_doθJA para a única operação do dispositivo usando as disposições da placa mostradas abaixo em 4,5"” PWB de FR-4 x5 em um ambiente de ar imóvel:

a. 78℃/W quando montado em um 0,5 na almofada² do cpper 2oz.

b. 125℃/W quando montado em um 0,02 na almofada² do cpper 2oz.

c. 135℃/W quando montado em um 0,003 na almofada² do cpper 2oz.

Escala 1: 1 no papel de tamanho de letra

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