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Transistor S-IGBT rápido do Mosfet do poder SGP02N120 na NPT-tecnologia

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Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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China Transistor S-IGBT rápido do Mosfet do poder SGP02N120 na NPT-tecnologia wholesale
  • China Transistor S-IGBT rápido do Mosfet do poder SGP02N120 na NPT-tecnologia wholesale

Transistor S-IGBT rápido do Mosfet do poder SGP02N120 na NPT-tecnologia
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Número de modelo :SGP02N120
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8300pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Tensão do Coletor-Emissor :1200 V
Corrente de coletor da C.C. :6,2 A
Corrente de coletor pulsada :9,6 A
Tensão do Porta-Emissor :±20 V
Dissipação de poder :62 W
Temperatura de funcionamento da junção e de armazenamento :-55… +150°C
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SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120

 

S-IGBT rápido na NPT-tecnologia

 

 

• 40% mais baixo E comparadofora à geração precedente

• Tempo do withstand do curto-circuito – 10 µs

• Projetado para:

  - Controlos do motor

  - Inversor

  - SMPS

• Ofertas da NPT-tecnologia:

  - distribuição muito apertada do parâmetro

  - aspereza alta, comportamento do estábulo da temperatura

  - capacidade paralela do interruptor

 

Transistor S-IGBT rápido do Mosfet do poder SGP02N120 na NPT-tecnologia

 

Avaliações máximas

Parâmetro Símbolo Valor Unidade
tensão do Coletor-emissor VCE 1200 V

Corrente de coletor da C.C.

TC = 25°C

TC = 100°C

 MIMC

 

6,2

2,8

 A
Corrente de coletor pulsada, tp limitado pelojmaxde T MimCpuls 9,6 A
Desligue o ≤ 1200V doCE da áreade funcionamento seguro V, ≤ 150°C de Tj   9,6 A
tensão do Porta-emissor VGE ±20 V
Energia da avalancha, único pulso mimC = 2A, Vcentímetro cúbico = 50V, RGE = 25Ω, começo em Tj = 25°C ECOMO 10 mJ
Tempo1) VGE = 15V do withstand do curto-circuito, 100Vcentímetro cúbico do ≤ 1200V do ≤ V, ≤ 150°C de Tj SCde t 10 µs
Dissipação de poder TC = 25°C Pequenode P 62 W
Temperatura de funcionamento da junção e de armazenamento Tj, Tstg -55… +150 °C
Temperatura de solda, 1.6mm (0,063 dentro.) do argumento para 10s   260 °C

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 MICROCHIP 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 MICROCHIP 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 MICROCHIP 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 MICROCHIP 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 MICROCHIP 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 MICROCHIP 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 MICROCHIP 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 MICROCHIP 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 MICROCHIP 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 MICROCHIP 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 MICROCHIP 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 MICROCHIP 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 MICROCHIP 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 MICROCHIP 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 MICROCHIP 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 MICROCHIP 15+ MERGULHO
MCP3421AOT-E/CH 12828 MICROCHIP 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 MICROCHIP 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 MICROCHIP 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 MICROCHIP 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP42010-I/P 12118 MICROCHIP 16+ DIP-14
MCP4725AOT-E/CH 6616 MICROCHIP 15+ SOT23-5
MCP4728AOT-E/UN 4184 MICROCHIP 12+ MSOP

 

 

 

 

 

Etiquetas de Produtos:

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igbt mosfet

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