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Microplaqueta GaAГAs Ired & Photo−IC de IC do poder da microplaqueta do circuito integrado de TLP251F

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Microplaqueta GaAГAs Ired & Photo−IC de IC do poder da microplaqueta do circuito integrado de TLP251F

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Número de modelo :TLP251F
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8200PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Corrente do ponto inicial da entrada :5 miliampères
Corrente da fonte :11 miliampères
Tensão de fonte :10~35 V
Corrente máxima da saída :±0.4 A
Tempo do interruptor :μs 1
Tensão do isolamento :2500 Vrms
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Photocoupler GaAℓAs Ired & Photo−IC de TOSHIBA

TLP251F

 

Inversor para o condicionador de arMicroplaqueta GaAГAs Ired & Photo−IC de IC do poder da microplaqueta do circuito integrado de TLP251F

Aquecimento de indução

Inversor do transistor

Movimentação da porta do MOSFET do poder

Movimentação da porta de IGBT

 

TOSHIBA TLP251F consiste em um diodo luminescente de GaAℓAs e em um fotodetector integrado.

Esta unidade é pacote do MERGULHO 8−lead.

 

TLP251F é apropriado para o circuito de condução da porta de IGBT ou de FET do MOS do poder. Especialmente TLP251 é capaz da movimentação “direta” da porta de um mais baixo poder IGBTs. (~15A)

 

• Corrente do ponto inicial da entrada: SE = 5mA (máximo)

• Corrente da fonte: 11mA (máximo)

• Tensão de fonte: 10~35V

• Corrente máxima da saída: ±0.4A (máximo)

• Tempo do interruptor: tpHL, tpLH = 1μs (máximo)

• Tensão do isolamento: 2500Vrms (mínimo)

 

• UL reconhecido: UL1577, arquivo não E67349

• Tipo VDE da opção (D4) aprovado:

  EN 60747-5-2 do RUÍDO, no. 40011913 do certificado

  Tensão de funcionamento da isolação do máximo: 1140VPK

  Tensão excedente o mais altamente permissível: 6000VPK


(Nota 1) quando um tipo aprovado 60747-5-2 do EN é precisado, designe por favor a “opção (D4)”

 

• Parâmetro estrutural

  Distância de dispersão: 8.0mm (Min.)

  Afastamento: 8.0mm (Min.)

 

Microplaqueta GaAГAs Ired & Photo−IC de IC do poder da microplaqueta do circuito integrado de TLP251F

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
105017-0001 15032 MOLEX 15+ MiniUSB
STM32F103C8T6 3035 ST 16+ LQPF48
R5F100FCAFP#VO 16088 RENESAS 15+ LQPF44
STM32F407VET6 1028 ST 16+ LQPF100
STM8S207MBT6B 2939 ST 16+ LQFP80
WJLXT971ALE 1442 INPHI 16+ LQFP64
STM32F030R8T6 5592 ST 15+ LQFP64
STM32F051R8T6 12424 ST 15+ LQFP64
STM32F103R8T6 2621 ST 15+ LQFP64
STM32F103RCT6 2468 ST 16+ LQFP64
STM32F103RDT6 1346 ST 16+ LQFP64
STM32F105R8T6 2240 ST 15+ LQFP64
STM32F105RCT6 2132 ST 14+ LQFP64
STM32F205RET6 1106 ST 14+ LQFP64
STM32F405RGT6 1424 ST 16+ LQFP64
STM8L052R8T6 25080 ST 15+ LQFP64
STM8S207RBT6 2594 ST 16+ LQFP64
KSZ8863FLLI 1814 MICREL 14+ LQFP48
STM32F030C8T6 13572 ST 14+ LQFP48
STM32F051C8T6 8788 ST 16+ LQFP48
STM32F100C8T6B 5406 ST 15+ LQFP48
STM32F103C6T6A 2822 ST 11+ LQFP48
STM8S005C6T6 5548 ST 13+ LQFP48
STM8S105C6T6 4260 ST 16+ LQFP48
STM8S208C8T6 2993 ST 13+ LQFP48
STM8S207S6T6C 5554 ST 15+ LQFP44
STM32F030K6T6 5364 ST 14+ LQFP32
STM8S003K3T6C 21136 ST 15+ LQFP32
STM8S103K3T6C 6484 ST 14+ LQFP32
STM8S105K4T6C 25836 ST 15+ LQFP32

 

 

 

 

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