Linha diferencial automotivo receptor IC da microplaqueta eletrônica LVDS de DS90LT012AQMF/NOPB

DS90LT012AQ

Linha diferencial automotivo receptor de LVDS

Descrição geral

O DS90LT012AQ é uma única linha diferencial receptor do CMOS projetado para as aplicações que exigem ultra as taxas de dissipação de baixa potência, de baixo nível de ruído, e altas de dados. Os dispositivos são projetados apoiar taxas de dados além de 400 Mbps (200 megahertz) que utiliza a tecnologia diferencial de (LVDS) do balanço da baixa tensão.

O DS90LT012AQ aceita baixos sinais de entrada diferenciais da tensão (350 milivolt típicos) e tradu-los aos nível de saída de 3V CMOS. O DS90LT012AQ inclui uma linha de entrada resistor da terminação para aplicações pontos a ponto.

A linha motorista DS90LV011AQ de DS90LT012AQ e de companheiro LVDS fornece uma alternativa nova aos dispositivos do poder superior PECL/ECL para aplicações da relação de alta velocidade.

Características

Categoria 1 do ■ AECQ-100

■ -40 à operação da variação da temperatura de +125°C

■ compatível com padrão do ANSI TIA/EIA-644-A

o interruptor do ■ >400 Mbps (200 megahertz) avalia

■ enviesamento de um diferencial de 100 picosegundos (típico)

atraso de propagação máximo do ns do ■ 3,5

Linha integrada ■ resistor da terminação (100Ω típicos)

Projeto da fonte de alimentação 3.3V do ■ único

Do ■ do poder impedância alta para baixo em entradas de LVDS

As entradas do ■ LVDS aceitam sinais de LVDS/CML/LVPECL

O ■ Pinout simplifica a disposição do PWB

Dissipação de baixa potência do ■ (10mW estática do typical@ 3.3V)

Pacote da ligação do ■ SOT-23 5

Tabela de verdade do diagrama de conexão

Diagrama funcional

Avaliações máximas absolutas (nota 4)

Se as forças armadas/espaço aéreo especificaram os dispositivos são exigidos, contactam por favor os distribuidores nacionais do escritório de vendas do semicondutor para a disponibilidade e as especificações.

Tensão de fonte (_DD) de V −0.3V a +4V

Tensão de entrada (IN+, IN−) −0.3V a +3.9V

Output a tensão (TTL PARA FORA) −0.3V (V_DD + 0.3V)

Output o curto-circuito −100mA atual

Dissipação de poder máxima @ +25°C do pacote

    Pacote 794mW do MF

    Derate o pacote 7,22 mW/°C do MF acima de +25°C

Empacote a resistência térmica (4-Layer, 2 onças. Cu, JEDEC)

    θ_JA 138.5°C/W

    θ_JC 107.0°C/W

Temperatura (segundo 4.) +260°C de solda da ligação

Temperatura de junção máxima +135°C

ESD que avalia HBM (nota 1) >8 quilovolt

                    Milímetro (nota 2) >250V

                    CDM (nota 3) >1250V

Nota 1: Modelo do corpo humano, padrão aplicável JESD22-A114C

Nota 2: Modelo de máquina, padrão aplicável JESD22-A115-A

Nota 3: Modelo induzido campo do dispositivo da carga, padrão aplicável JESD22-C101-C

Oferta conservada em estoque (venda quente)