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Anterwell Technology Ltd.

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MissSharon Yang

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Amplificador MMIC bipolar do silicone Cascadable da microplaqueta do circuito integrado INA-03184

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Número de modelo :INA-03184

Lugar de origem :Fábrica original

Quantidade de ordem mínima :10pcs

Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :8200PCS

Tempo de entrega :dia 1

Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes

Corrente do dispositivo :25 miliampères

Dissipação de poder :200 mW

Poder de entrada do RF :dBm +13

Temperatura de junção :150°c

A temperatura de armazenamento :– 65 a 150°C

Tensão do dispositivo :3,0 a 5,0 V

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Amplificador MMIC INA-03184 bipolar do silicone de baixo nível de ruído, Cascadable

Características

• Bloco Cascadable do ganho de 50 Ω

• Figura de baixo nível de ruído: DB 2,6 típico em 1,5 gigahertz

• Ganho alto: DB 25 típico em 1,5 gigahertz

• largura de banda do DB 3: C.C. a 2,5 gigahertz

• Incondicionalmente estábulo (k>1)

• Dissipação de baixa potência: polarização de 10 miliampère

• Pacote do plástico do baixo custo

Descrição

O INA-03184 é uma configuração de polarização típica Cblock Cbypass1 de (MMIC) do circuito integrado monolítico bipolar de baixo nível de ruído da micro-ondas do silicone Cblock (opcional) Rbias VCC Vd = RFC (nominal) de 4,0 V RF (opcional) NO RF PARA FORA nota 4 1 2 3: 1. VSWR pode ser melhorado contorneando um resistor diagonal do Ω 100-120 diretamente para moer. Veja AN-S012: Amplificadores de baixo nível de ruído. amplificador de feedback abrigado em um pacote do plástico da montagem da superfície do baixo custo. É projetado para as aplicações comerciais e industriais da largura de banda estreita ou larga que exigem o ganho alto e de baixo nível de ruído SE ou amplificação do RF com consumo de potência mínimo.

A série de INA de MMICs é fabricada usando os 10 gigahertz fT de HP, 25␣ gigahertz f _max, o processo bipolar do silicone de ISOSAT™-I que usa o auto-alinhamento do nitreto, a litografia do submicrometer, o isolamento da trincheira, a implantação de íon, o dielétrico intermetal da metalização do ouro e do polyimide e a proteção do risco para conseguir o desempenho, a uniformidade e a confiança excelentes.

Configuração de polarização típica

Nota: 1. VSWR pode ser melhorado contorneando um resistor diagonal do Ω 100-120 diretamente para moer. Veja AN-S012: Amplificadores de baixo nível de ruído.

Pacote de 84 plásticos

Avaliações máximas absolutas

Parâmetro	Máximo absoluto^[1]
Corrente do dispositivo	25 miliampères
Dissipação de poder^[2]	200 mW
Poder de entrada do RF	dBm +13
Temperatura de junção	150°C
Temperatura de armazenamento	– 65 a 150°C

Notas:

1. Dano permanente pode ocorrer se qualquens um limites são excedidos.

2. Derate em 10 mW/°C para TC > 130°C.

Armazene a oferta (a venda quente)

Número da peça.

Quantidade

Tipo

D/C

Pacote

L6599D	6828	ST	13+	SOP-16
L7805ABP	12978	ST	11+	TO-220F
L7812CV	60000	STM	14+	TO-220
L78L33ACUTR	38000	ST	15+	SOT-89
L78M05CDT	98000	ST	16+	TO-252
L78M08ABDT-TR	14698	ST	16+	SOT-252
L78M12CDT	101000	ST	13+	TO-252
L78S05CV	11629	ST	16+	TO-220
L78S12CV	4245	ST	16+	TO-220
L7985ATR	13028	STM	15+	HSOP-8
L9407F	3184	ST	15+	FECHO DE CORRER
L9637D013TR	1520	ST	15+	CONCESSÃO
L9826TR	3101	ST	12+	SOP-20
LA4440	3580	SANYO	13+	ZIP-14
LA78040	15692	SANYO	14+	TO-220
LA78041	14769	SANYO	15+	TO-220
LA78045	16047	SANYO	13+	TO-220-7
LAN83C185-JT	2746	SMSC	16+	QFP64
LAN8710A-EZK-TR	5987	SMSC	13+	QFN32
LAN8710AI-EZK-TR	15547	SMSC	14+	QFN
LAN8720A-CP-TR	4876	MICROCHIP	16+	QFN24
LAN9115-MT	7959	MICROCHIP	09+	QFP
LCDA05.TBT	7787	SEMTECH	11+	SOP-8
LCMXO640C-3TN100C	4897	ESTRUTURA	12+	TQFP100
LCMZO640C-4TN100C	1113	ESTRUTURA	16+	QFP100
LCP02-150B1RL	6643	ST	16+	SOP-8
LD1086D2M33TR	4316	ST	14+	TO-263
LD1086V33	6714	ST	08+	TO-220
LD1117ADT18TR	51000	ST	15+	TO-252
LD1117S18TR	101000	ST	11+	SOT-223

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