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DV/dt dinâmicos que avaliam IRFP240PBF põem o mosfet rápido do poder do interruptor do transistor do Mosfet

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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DV/dt dinâmicos que avaliam IRFP240PBF põem o mosfet rápido do poder do interruptor do transistor do Mosfet

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Número de modelo :IRFP240PBF
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :9500pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :200 V
Tensão da Porta-Fonte :± 20 V
Corrente pulsada do dreno :80 A
Fator Derating linear :1,2 W/°C
Única energia da avalancha do pulso :510 mJ
Dissipação de poder máxima :150 W
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IRFP240, SiHFP240

MOSFET do poder

 

CARACTERÍSTICAS

• Avaliação dinâmica de dV/dt

• Avalancha repetitiva avaliada

• Furo de montagem central isolado

• Interruptor rápido

• Facilidade da paralelização

• Exigências simples da movimentação

• Ligação (Pb) - disponível livre

 

DESCRIÇÃO

Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade.

 

O pacote TO-247 é preferido para as aplicações comercial-industriais onde os níveis de poder mais alto impossibilitam o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado porque seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece maiores distâncias de dispersão entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.

 

DV/dt dinâmicos que avaliam IRFP240PBF põem o mosfet rápido do poder do interruptor do transistor do Mosfet

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS TC = °C 25, salvo disposição em contrário

PARÂMETRO SÍMBOLO LIMITE UNIDADE
Tensão da Dreno-fonte VDS 200 V
Tensão da Porta-fonte VGS ± 20 V
Corrente contínua do dreno VGS em 10 V TC = °C 25 MIMD 20 A
TC = °C 100 12
Corrente pulsadaado dreno MIMDM 80 A
Fator Derating linear   1,2 W/°C
Única energiab da avalanchado pulso ECOMO 510 mJ
Corrente repetitivaada avalancha MIMAR 20 A
Energia repetitivaada avalancha EAR 15 mJ
Dissipação de poder máxima TC = °C 25 PD 150 W
Recuperação máxima dV/dtcdo diodo dV/dt 5,0 V/ns
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento TJ, Tstg - 55 + a 150 °C
Recomendações de solda (temperatura máxima) para 10 s   300d °C
Torque da montagem 6-32 ou parafuso M3   10 lbf · em
1,1 N · m

Notas

a. Avaliação repetitiva; largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima (veja Fig. 11).

b. VDD = 50 V, começando TJ = 25 °C, L = 1,9 mH, RG = 25 Ω, ICOMO = 20 A (veja Fig. 12).

c. Mim ≤ 18 A doSD, ≤ 150 A/µs de dI/dt, ≤ VDS doDDde V, ≤ 150 °C. de TJ.

d. 1,6 milímetros do caso.

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
LM211P 13049 SI 11+ TSSOP-8
LM224DR 67000 SI 16+ SOP-14
LM22676MRE-5.0 8568 SI 15+ SOP-8
LM22676MRX-5.0 8639 SI 15+ PSOP8
LM22676MRX-ADJ 1691 SI 16+ SOP-8
LM22676TJE-ADJ 6794 SI 13+ TO-263
LM22777TJ-ADJ 5048 NS 16+ TO-263
LM239APT 4458 ST 13+ TSSOP-14
LM25011MY/NOPB 3243 SI 16+ MSOP-10
LM25037MTX 4474 SI 09+ TSSOP-16
LM25119PSQ/NOPB 1820 SI 15+ WQFN-32
LM25575MHX 3711 SI 12+ TSSOP-16
LM25576MHX 5141 SI 14+ TSSOP-20
LM2575D2T-3.3R4G 18153 EM 11+ TO-263
LM2575HVT-5.0 13120 NS 15+ TO-220
LM2575SX-5.0 22261 NS 16+ TO-263
LM2576-5.0WU 4267 MICREL 14+ TO-263
LM2576D2TR4-5G 5273 EM 14+ TO-263
LM2576HVSX-ADJ 6468 SI 15+ TO-263
LM2576HVT-ADJ 21640 NS 16+ TO-220
LM2576SX-1.2 18871 NSC 13+ TO263-5
LM2577T-ADJ 4542 NS 12+ TO-220-5
LM2586SX-ADJ 2498 NS 07+ TO-263-7
LM2588T-5.0 3655 SI 15+ TO-220-7
LM258DR 69000 SI 16+ SOP-8
LM258DT 70000 ST 13+ SOP-8
LM2594HVM-5.0 3314 NS 13+ SOP-8
LM2596HVT-ADJ 21711 NS 14+ TO-220
LM2622MM-ADJ 2888 NSC 08+ MSOP-8
LM2651MTCX-ADJ 8710 NS 04+ TSSOP

 

 

 

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