Multivibrador Monostable duplos de Retriggerable CMOS da lógica de alta velocidade de CD74HC123E

CD54/74HC123, CD54/74HCT123, CD74HC423, CD74HCT423

Multivibrador Monostable duplos de Retriggerable da lógica de alta velocidade do CMOS com restaurações

Características

• A restauração de ultrapassagem termina o pulso da saída

• Provocação da borda principal ou de arrasto

• Q e saídas protegidas de Q

• Restaurações separadas

• Vasta gama de larguras do Saída-pulso

• Disparador de Schmitt em entradas de A e de B

• Fanout (sobre a variação da temperatura)

  - Saídas padrão…………… 10 cargas de LSTTL

  - O condutor de ônibus Outputs…………. 15 cargas de LSTTL

• Variação da temperatura de funcionamento larga… -55℃ a 125℃

• Atraso de propagação e tempos de transição equilibrados

• Redução significativa do poder comparada à lógica CI de LSTTL

• Tipos de HC

  - 2V à operação 6V

  - Imunidade de ruído alta: N_IL = 30%, N_IH = 30%of V_{centímetro cúbico} em V_{centímetro cúbico} = 5V

• Tipos de HCT

  - 4.5V à operação 5.5V

  - Compatibilidade direta da lógica da entrada de LSTTL, V_IL = 0.8V (máximo), V_IH = 2V (minuto)

  - Compatibilidade da entrada do CMOS, I_l ≤ 1µA em V_OL, V_OH

Descrição

Os ‘HC123,’ os HCT123, os CD74HC423 e os CD74HCT423 são multivibrador monostable duplos com restaurações. São tudo retriggerable e diferem somente que os 123 tipos podem ser provocados por um negativo ao pulso de restauração positivo; considerando que os 423 tipos não têm esta característica. Um resistor externo (R_X) e um controle externo do capacitor (C_X) o sincronismo e a precisão para o circuito. O ajuste de Rx e de C_X fornece uma vasta gama de larguras de pulso da saída dos terminais de Q e de Q. A provocação de pulso nas entradas de A e de B ocorre a nível particular da tensão e não é relacionada à elevação e aos tempos de queda dos pulsos de disparo

Uma vez que provocada, a largura de pulso da saída pode ser estendida desencadeando de novo as entradas A e B. O pulso da saída pode ser terminado por um de baixo nível na restauração (R) pino. A borda de arrasto que provocam (a) e a vanguarda que provoca (b) entradas são fornecidas provocando de uma ou outra borda do pulso de entrada. Se mono não é usado cada entrada no dispositivo não utilizado (A, B, e R) devem ser terminados altamente ou baixo.

O valor mínimo da resistência externo, Rx é tipicamente 5kΩ. A capacidade externo de valor mínimo, CX, é 0pF. O cálculo para a largura de pulso está TW = 0,45 R_XCX em V_{centímetro cúbico} = 5V.

Avaliações máximas absolutas

Tensão de fonte da C.C., V_{centímetro cúbico}…………………… -0.5V a 7V

Corrente de diodo da entrada de C.C., I_IK

    Para V_MIM< -0=""> I > V^{centímetro cúbico} + 0.5V. ……………… ...±20mA

Corrente de diodo da saída da C.C., _{APROVAÇÃOde} I

    Para V_O< -0=""> O > V_{centímetro cúbico} + 0.5V………………. ±20mA

Fonte da saída da C.C. ou corrente do dissipador por Pin da saída, I_O

    Para V_O > -0.5V ou V_O< V=""> centímetro cúbico + 0.5V………………. _±25mA

C.C.V_{centímetro cúbico} ou de corrente, de I_{centímetro cúbico} ou de I da terra_terra…………… ...±50mA

Condições operacionais

Variação da temperatura (T_A)………………… -55℃ a 125℃

Escala da tensão de fonte, V_{centímetro cúbico}

    HC datilografa……………………………… .2V a 6V

    HCT datilografa…………………………. .4.5V a 5.5V

Entrada de C.C. ou tensão da saída, V_mim, V_O……………. 0V a V_{centímetro cúbico}

Elevação da entrada e tempo de queda

    2V………………………………. 1000ns (máximo)

    4.5V. ………………………………. 500ns (máximo)

    6V………………………………… 400ns (máximo)

Informação térmica

Impedância térmica do pacote, θ_JA (veja a nota 1):

    E (PDIP) empacota………………………… .67℃/W

    Pacote de M (SOIC). ………………………. .73℃/W

    Pacote do NS (CONCESSÃO)………………………. 64℃/W

    Pacote do picowatt (TSSOP)……………………. 108℃/W

Temperatura de junção máxima…………………. 150℃

Variação da temperatura máxima do armazenamento……….  -65℃ a 150℃

Temperatura máxima da ligação (10s de solda)…………. 300℃

    (SOIC - pontas da ligação somente)

CUIDADO: Os esforços acima daqueles alistados “em avaliações máximas absolutas” podem causar dano permanente ao dispositivo. Este é um esforço que avalia somente e a operação do dispositivo nestes ou de nenhuma outra condições acima daqueles indicados nas seções operacionais desta especificação não é implicada.

NOTA: 1. A impedância térmica do pacote é calculada de acordo com JESD 51-7.

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