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Anterwell Technology Ltd.

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MissSharon Yang

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Transistor do Mosfet do poder de TYN1012RG SENSÍVEL & PADRÃO (SCR 12A)

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Número de modelo :TYN1012RG

Lugar de origem :Fábrica original

Quantidade de ordem mínima :20 pcs

Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte :10000 PCS

Tempo de entrega :dia 1

Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes

Corrente do em-estado do RMS (ângulo da condução 180°) :12 A

Corrente média do em-estado (ângulo da condução 180°) :8 A

Taxa crítica de elevação do em-estado atual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns do tr :50 A/µs

Corrente máxima da porta :4 A

Dissipação de poder média da porta :1 W

Temperatura de junção de funcionamento :- 40 + ao °C 125

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Série TN12, TS12 e TYNx12

SCR SENSÍVEIS & do PADRÃO 12A

Características principais

Símbolo	Valor	Unidade
MIM_T(RMS)	12	A
V_DRM/VRRM	600 a 1000	V
MIM_GT	0,2 a 15	miliampère

DESCRIÇÃO

Disponível (TN12/TYN) na porta sensível (TS12) ou padrão que provoca níveis, a série do SCR 12A é apropriada caber todos os modos de controle, encontrados nas aplicações tais como a proteção da pé de cabra da sobretensão, os circuitos de controlo do motor nas ferramentas elétricas e nos auxílios da cozinha, circuitos limitadores de corrente do inrush, a ignição capacitiva da descarga e os circuitos do regulamento de tensão…

Disponível em pacotes do através-furo ou da superfície-montagem, fornecem um desempenho aperfeiçoado em uma área de espaço limitada.

Avaliações absolutas (valores de limitação)

Símbolo	Parâmetro			Valor		Unidade
				TN12-G TYN12	TN12-B/H TS12-B/H
MIM_T(RMS)	Corrente do em-estado do RMS (ângulo da condução 180°)		Tc = 105°C	12		A
MIM_{T(AVOIRDUPOIS)}	Corrente média do em-estado (ângulo da condução 180°)		Tc = 105°C	8		A
MIM_TSM	Corrente não repetitiva do onstate do pico do impulso	t_p = Senhora 8,3	Tj = 25°C	145	115	A
		t_p = Senhora 10		140	110
Mim ² t	Mim valor do ² t para fundir	t_p = Senhora 10	Tj = 25°C	98	60	^UNS2S
dI/dt	Taxa crítica de elevação do em-estado corrente mim_G = 2 x mim_GT, ≤ 100 ns de t_r	F = 60 hertz	Tj = 125°C	50		A/µs
MIM_GM	Corrente máxima da porta	t_p = 20 µs	Tj = 125°C	4		A
P_{G(AVOIRDUPOIS)}	Dissipação de poder média da porta		Tj = 125°C	1		W
Tstg Tj	Variação da temperatura da junção do armazenamento Variação da temperatura de funcionamento da junção			- 40 + a 150 - 40 + a 125		°C
V_RGM	Tensão de porta reversa máxima máxima (para TN12 & TYN12 somente)			5		V

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça.

Quantidade

Tipo

D/C

Pacote

MDM6600	500	QUALCOMM	NOVO	BGA
T90RIA120	500	IR	NOVO	SMD
VSP9415B/C3	500	MICRONAS	NOVO	QFP
XC2V3000-5FF1152C	500	XILINX	NOVO	BGA
MRF5S21090L	500	MOTOROLA	NOVO	SMD
PEX8114-BD13BIG	500	PLX	NOVO	BGA
AAPQ8084-1AA	500	QUALCOMM	NOVO	BGA
AF82801JIR	500	INTEL	NOVO	BGA
TMS320C6711GDP250	500	SI	NOVO	BGA
TE28F640J3D75	500	INTEL	NOVO	TSSOP
CY7C1360C-16AXC	500	CYPREES	NOVO	QFP
EPM7128STC100-7	500	ALTERA	NOVO	QFP
QL4009-1PF100C	500	QUICKLC	NOVO	QFP
SAB80C32	500	SSIEMENS	NOVO	PLCC44
RM7000A-350T	500	PMC	NOVO	BGA
MPC8245LVV350D	500	FREESCALE	NOVO	BGA
MPC8321VRAFDC	500	FREESCALE	NOVO	BGA
CY62256VLL-70ZC	500	CYPRESS	NOVO	TSSOP
DS90C385AMTX	500	NSC	NOVO	SSOP
EP1SGX25FF1020C7	500	ALTERA	NOVO	FBGA
LC4064V-25T44C	500	ESTRUTURA	NOVO	QFP
LM2576TV-5	500	EM	NOVO	TO263
LTC3727EG-1#TRPBF	500	LT	NOVO	SSOP
MAX3740AETG	500	MÁXIMA	NOVO	QFN
MSM8994-OVV	500	QUALCOMM	NOVO	BGA
SC85430HEHXANG	500	FREESCALE	NOVO	BGA
UPD720101GJ-UEN-A	500	NEC	NOVO	QFP
21152-AB	500	INTEL	NOVO	QFP
88W8310-A7-BAN-C000	500	MARVELL	NOVO	BGA
EP2C70F672C8KK	500	ALTERA	NOVO	BGA

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