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Mosfet CI do poder do MOSFET do P-canal do transistor do Mosfet do poder de IRFP9240PBF

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Mosfet CI do poder do MOSFET do P-canal do transistor do Mosfet do poder de IRFP9240PBF

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Número de modelo :IRFP9240PBF
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :9000pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
tensão da Dreno-fonte :- 200 V
Tensão da Porta-Fonte :± 20 V
Corrente pulsada do dreno :- 48 A
Fator Derating linear :1,2 W/°C
Única energia da avalancha do pulso :790 mJ
Dissipação de poder máxima :150 W
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IRFP9240, SiHFP9240

MOSFET do poder

 

CARACTERÍSTICAS           Mosfet CI do poder do MOSFET do P-canal do transistor do Mosfet do poder de IRFP9240PBF                                    

• Avaliação dinâmica de dV/dt

• Avalancha repetitiva avaliada

• P-canal

• Furo de montagem central isolado

• Interruptor rápido

• Facilidade da paralelização

• Exigências simples da movimentação

• Ligação (Pb) - disponível livre

 

 

SUMÁRIO DO PRODUTO

VDS (V) - 200 V
RDS(sobre) (máximo) (Ω) VGS = - 10 V 0,50
Qg (máximo) (nC) 44
Qgs (nC) 7,1
Gdde Q (nC) 27
Configuração Único

 

 

DESCRIÇÃO

Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade.

 

O pacote TO-247 é preferido para as aplicações comercial-industriais onde os níveis de poder mais alto impossibilitam o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece a maior distância de dispersão entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS TC = °C 25, salvo disposição em contrário

PARÂMETRO SÍMBOLO LIMITE UNIDADE
Tensão da Dreno-fonte VDS - 200 V
Tensão da Porta-fonte VGS ± 20 V
Corrente contínua do dreno VGS - em 10 V TC = °C 25 MIMD - 12 A
TC = °C 100 - 7,5
Corrente pulsada a do dreno MIMDM -48 A
Fator Derating linear   1,2 W/°C
Única energia b da avalancha do pulso  ECOMO 790 mJ
Corrente repetitiva a da avalancha MIMAR - 12 A
Energia repetitiva a da avalancha EAR 15 mJ
Dissipação de poder máxima TC = °C 25 PD 150 W
Recuperação máxima dV/dt c do diodo dV/dt - 5,0 V/ns
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento TJ, stgde T - 55 + a 150 °C
Recomendações de solda (temperatura máxima) para 10 s   300 d °C
Torque da montagem 6-32 ou parafuso M3   10 lbf·em
1,1 N·m

Notas

a. Avaliação repetitiva; largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima (veja Fig. 11).

b. VDD = - 50 V, começando TJ = 25 °C, L = 8,2 mH, RG = 25 Ω, ICOMO = - 12 A (veja Fig. 12).

c. Mim ≤ doSD - 12 A, ≤ 150 A/µs de dI/dt, ≤ VDS doDDde V, ≤ 150 °C. de TJ.

d. 1,6 milímetros do caso.

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
MOC3020 4000 FSC 14+ MERGULHO
MX25L1005CMI-12G 4000 MXIC 14+ SOP-8
NFM18CC222R1C3D 4000   14+ SMD
OB2269AP 4000 OB 16+ DIP8
P6SMB22A 4000 EM 16+ SMB
PIC18F2550-I/SP 4000 MICROCHIP 13+ MERGULHO
RS1M 4000 PLINGSEMI 15+ SMA
SD4841 4000 SILAN 16+ MERGULHO
SFH610A-3 4000 VISHAY 16+ DIP-4
SK110 4000 CST 14+ SMB
SMCJ30A 4000 VISHAY 14+ VISHAY
SN65HVD11DR 4000 SI 14+ SOP-8
SN75176BP 4000 SI 16+ MERGULHO
SUM65N20-30 4000 VISHAY 16+ TO-263
TS5A3159DBVR 4000 SI 13+ SOT23-6
H11F1 4001 FSC 15+ DIP-6
PS2561 4001 NEC 16+ SOP4
SP202ECP 4001 SIPEX 16+ MERGULHO
EXB841 4002 FUJI 14+ ZIP-13
PC451 4002 AFIADO 14+ SOP-4
SFH610A-3 4002 VISKAY 14+ DIP-4
HT9032C 4008 HOLTEK 16+ CONCESSÃO
MJE15033G 4008 EM 16+ TO-220
LF347 4022 SI 13+ SOP14
1.5KE300CA 8000 VISHAY 15+ DO-201AD
ICS501 4100 ICS 16+ SOP8
IRFIZ34N 4100 IR 16+ TO-220F
NCP1396ADR2G 4100 EM 14+ SOP15
ZTX712 4100 ZETEX 14+ TO-92
MBR20200 4110 EM 14+ TO-220

 

 

 

 

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