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MOSFET do N-canal do módulo do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet IXFN38N100Q2

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Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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China MOSFET do N-canal do módulo do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet IXFN38N100Q2 wholesale
  • China MOSFET do N-canal do módulo do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet IXFN38N100Q2 wholesale

MOSFET do N-canal do módulo do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet IXFN38N100Q2
Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :IXFN38N100Q2
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :6000pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
VDSS :1000 V
VDGR :1000 V
VGS :±30 V
VGSM :±40 V
Paládio :890 W
Peso :30 g
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IXFN38N100Q2

HiPerFETTM põe o MOSFET

 

A avalancha do modo do realce do N-canal avaliou, baixo Qg, baixo Intrinsic Rg dV/dt alto, baixo trr

 

VDSS = 1000 V

MIMD25 = 38 A

RDS(sobre) = 0,25 Ω

≤ 300 ns de trr

 

MOSFET do N-canal do módulo do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet IXFN38N100Q2           MOSFET do N-canal do módulo do diodo do tiristor do módulo de poder do Mosfet IXFN38N100Q2

 

Características

• Processo dobro do metal para a baixa resistência da porta

• miniBLOC, com isolamento do nitreto de alumínio

• (UIS) de comutação indutivo Unclamped avaliou

• Baixa indutância do pacote

• Retificador intrínseco rápido

 

Aplicações

• Conversores de DC-DC

• fontes do Comutar-modo e da alimentação do ressonante-modo

• Interruptores inversores da C.C.

• Geradores de pulso

 

Vantagens

• Fácil montar

• Economias de espaço

• Densidade de poder superior

 

Avaliações máximas

Símbolo Condições de teste MÁXIMO. UNIDADE
VDSS TJ = 25°C a 150°C 1000 V
VDGR TJ = 25°C a 150°C; RGS = 1 MΩ 1000 V
VGS Contínuo ±30 V
VG/M Transiente ±40 V
MIMD25 TC = 25°C 38 A
MIMDM TC = 25°C, largura de pulso limitada por TJM 152 A
MIMAR TC = 25°C 38 A
EAR TC = 25°C 60 mJ
ECOMO TC = 25°C 5,0 J
dv/dt

Mim ≤ deS mimDM, ≤ 100 A/µs de di/dt, ≤ VDSS doDDde V

≤ 150°C de TJ, RG = Ω 2

 20 V/ns
PD TC = 25°C 890 W
TJ   -55… +150 °C
TJM   150 °C
Stgde T   -55… +150 °C
VISOLADOR 50/60 de hertz, RMS, t = 1 minuto 2500 V
Md

Torque da montagem

Torque da conexão terminal

1.5/13

1.5/13

Nm/lb.in.

Nm/lb.in.

 

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
SN74HC00DR 4211 SI 15+ SOP14
NDS9956A 4215 FAIRCHILD 16+ SOP8
MC33202DR2G 4227 EM 16+ SOP8
ICE2B265 4250   14+ DIP-8
SS32-E3/57T 4250 VISHAY 14+ DO214
SI3867 4258 VISHAY 14+ SOT-163
APM4953 4275 APM 16+ SOP8
LM1117MPX-5.0 4288 NS 16+ SOT223
3224W-1-103E 4300 BOURNS 13+ SMD
TNY276GN 4300 PODER 15+ SOP-7
MIC5235-1.8YM5 4300 MICREL 16+ SOT23-5
HCF4052BEY 4399 ST 16+ MERGULHO
M82C51A-2 4400 OKI 14+ MERGULHO
MUR1620CTRG 4400 EM 14+ TO-220
IRF7329 4412 IR 14+ SOP-8
HSMP-3816 4433 AVAGO 16+ SOT153
SMDJ54CA 4440 LITTELFUS 16+ SMD
GP1A51HR 4444 AFIADO 13+ DIP-4
P2804BDG 4444 NIKO 15+ TO252
AP9962GH 4450 AP 16+ TO-252
AD1955ARSZ 4457 ANÚNCIO 16+ SSOP-28
AMS1083CT-3.3 4470 AMS 14+ TO-220
1N4747A 4500 ST 14+ DO-41
FDB8447L 4500 FSC 14+ TO-263
INA118P 4500 SI 16+ DIP-8
IRFR9024NTRPBF 4500 IR 16+ TO-252
NL17SZ06 4500 EM 13+ SOT553
Q6040K7 4500 LITTELFUS 15+ TO-3P
STM8324 4500 SAMHOP 16+ SOP8
TDA2050 4500 ST 16+ FECHO DE CORRER

 

 

 

 

Etiquetas de Produtos:

thyristor diode module

thyristor diode modules

thyristor igbt
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