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Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET

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Província / Estado:guangdong
País / Região:china
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China Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET wholesale
  • China Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET wholesale

Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET
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Número de modelo :TPC8111
Lugar de origem :Taiwan
Quantidade de ordem mínima :5pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :580pcs
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
VDSS :−30 V
VDGR :−30 V
VGSS :±20 V
Identificação :−11 A
Paládio :1,9 W
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Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor de efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET

Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFETAplicações da bateria de íon de lítio

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• Pegada pequena devido ao pacote pequeno e fino

• Baixa dreno-fonte na resistência: MΩ 8,1 do RDS (SOBRE) = (tipo.)

• Admissão de transferência dianteira alta: |Yfs| = 23 S (tipo.)

• Baixa corrente do escapamento: ΜA IDSS = −10 (máximo) (VDS = −30 V)

• Realce-modo: Vth = −0.8 a −2.0 V (VDS = −10 V, identificação = −1 miliampère)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nota: Para (nota 1), (nota 2), (nota 3) e (nota 4), refira por favor a página seguinte. Este transistor é um dispositivo sensível eletrostático. Segure por favor com cuidado

 

 

 

 

Avaliações máximas (Ta = 25°C)

Características  Símbolo Avaliação  Unidade
tensão da Dreno-fonte  VDSS  −30 V
tensão da Dreno-porta (RGS = kΩ 20)  VDGR  −30 V
tensão da Porta-fonte  VGSS  ±20  V
Drene a dissipação de poder (t = 10 s) Paládio  1,9  W
Drene a dissipação de poder (t = 10 s) Paládio  1,0   W
Escolha a energia da avalancha do pulso EAS  31,5  mJ
Corrente da avalancha  IAR  −11 A
Energia repetitiva da avalancha ORELHA 0,19 mJ
Temperatura do canal  Tch  150 °C

 

 

Tipo MOSFET do MOS do canal do silicone P do transistor do Mosfet do poder do efeito de campo TPC8111 do poder de HEXFET

 

 

LISTA CONSERVADA EM ESTOQUE 

HMHAA280R1 1520 FAIRCHILD 16+ SOP-4
LQH55PN100MROL 6782 MURATA 16+ SMD
MSS1260-683MLD 6890 COILCRAFT 16+ SMD
TSL1112RA-102JR50-PF 10000 TDK 14+ MERGULHO
MJE340G 10000 EM 16+ TO-126
BD139-16 5500 ST 16+ TO-126
BD140-16 5500 ST 15+ TO-126
2SC2625 3000 FUJI 15+ TO-3P
TR600-150 38000 TYCO 16+ MERGULHO
A1324LUA-T 3420 ALLEGRO 15+ SIP-3
LVR040K 38000 RAYCHEM/T 16+ MERGULHO
LVR025S 38000 RAYCHEM/T 16+ MERGULHO
MF-R010 38000 BOURNS 16+ MERGULHO
MF-R017 25000 BOURNS 16+ MERGULHO
BFR96TS 5000 VISHAY 15+ TO-50
M28S 20000 UTC 10+ TO-92
MF-R040 40000 BOURNS 14+ MERGULHO
LVR040S 38000 RAYCHEM/T 16+ MERGULHO
LVR075S 5063 RAYCHEM/T 16+ MERGULHO
MF-R600 10000 BOURNS 16+ MERGULHO
MF-R090 38000 BOURNS 16+ MERGULHO
PKM13EPYH4000-AO 5000 NURATA 10+ MERGULHO
DE1E3KX102MJ5BA01 900 MURATA 15+ MERGULHO
LVR012 38000 TYCO 16+ MERGULHO
CS1024 3750 ZX 15+ TO-92S
20D151K 3000 ZOV 16+ MERGULHO
LPD6803S 30000 LPD 15+ SOP-16
MICROSMD005F-2 25000 TYCO 16+ SMD
BLM21BD601SN1D 8000 MURATA 15+ SMD
BLM21AG01SN1D 8000 MURATA 15+ SMD
AT24C02D-SSHM-T 4000 ATMEL 15+ SOP-8
VESD05A1B-02Z-GS08 40000 VISHAY 15+ SOD-923
AT24C02BN-SH-T 4000 ATMEL 15+ SOP-8
MICROSMD050F-2 25000 TYCO 16+ SMD
NDT2955 16800 FAIRCHILD 14+ SOT-223
AY1112H-TR 8000 STANLEY 09+ SMD
NFM3DCC223R1H3L9 38000 MURATA 16+ SMD
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