K4S641632H - A microplaqueta 64Mb H do circuito integrado UC75 morre SDRAM síncrono IC

K4S641632H - A microplaqueta 64Mb H do circuito integrado UC75 morre SDRAM síncrono IC

4M x 4Bit x 4/2M x 8Bit x 4/1M x 16Bit x GOLE síncrono de 4 bancos

CARACTERÍSTICAS

• Fonte de alimentação 3.3V padrão de JEDEC

• LVTTL compatível com endereço multiplexado

• Operação de quatro bancos

• SRA. ciclo com programas da chave de endereço

  -. Latência de CAS (2 & 3)

  -. Comprimento da explosão (1, 2, 4, 8 & págiana inteira)

  -. Tipo da explosão (sequencial & intercalação)

• Todas as entradas são provadas na borda indo positiva do pulso de disparo de sistema

• A explosão leu o único-bocado escreve a operação

• DQM (x4, x8) & L (U) DQM (x16) para mascarar

• O automóvel & o auto refrescam

• 64ms refrescam o período (o ciclo 4K)

• pacote Pb-livre

• RoHS complacente

DESCRIÇÃO GERAL

O K4S640432H/K4S640832H/K4S641632H são uma taxa de 67.108.864 dados alta síncrono RAM dinâmico dos bocados organizado como 4 x 4.194.304 palavras por 4 palavras, dos bocados/4 x 2.097.152 por 8 palavras, dos bocados/4 x 1.048.576 por 16 bocados, fabricados com tecnologia do CMOS do elevado desempenho do ′ s de SAMSUNG. O projeto síncrono permite o controle preciso do ciclo com o uso de transações do I/O do pulso de disparo de sistema é possível em cada ciclo de pulso de disparo. A escala de frequências de funcionamento, o comprimento programável da explosão e as latências programáveis permitem que o mesmo dispositivo seja útil para uma variedade de largura de banda alta, aplicações de sistema da memória do elevado desempenho.

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS

Nota:

Dano permanente do dispositivo pode ocorrer se de “as AVALIAÇÕES MÁXIMAS ASOLUTE” são excedidas.

A operação funcional deve ser restringida à condição operacional recomendada.

A exposição à tensão mais altamente do que recomendada por períodos de tempo prolongados podia afetar a confiança do dispositivo.

Dimensão física do pacote

Oferta conservada em estoque (venda quente)