K4H561638H-UCB3 IC eletrônico lasca a especificação da RDA SDRAM do H-dado 256Mb

K4H560438H K4H560838H K4H561638H

especificação da RDA SDRAM do H-dado 256Mb

66 TSOP-II com Pb-livre (RoHS complacente)

Características chaves

• VDD: 2.5V ± 0.2V, VDDQ: 2.5V ± 0.2V para DDR266, 333

• VDD: 2.6V ± 0.1V, VDDQ: 2.6V ± 0.1V para DDR400

• arquitetura da Dobro-dados-taxa; duas transferências de dados pelo ciclo de pulso de disparo

• Estroboscópio bidirecional dos dados [DQS] (x4, x8) & [L (U) DQS] (x16)

• Operação de quatro bancos

• Entradas de pulso de disparo diferencial (CK e CK)

• O DLL alinha a transição de DQ e de DQS com a transição das CK

• SRA. ciclo com programas da chave de endereço

  -. Leia a latência: DDR266 (2, pulso de disparo 2,5), DDR333 (2,5 pulso de disparo), DDR400 (pulso de disparo 3)

  -. Comprimento da explosão (2, 4, 8)

  -. Tipo da explosão (sequencial & intercalação)

• Todas as entradas a não ser que os dados & os DM sejam provados na borda indo positiva do pulso de disparo de sistema (CK)

• Transações do I/O dos dados em ambas as bordas do estroboscópio dos dados

• A saída de dados alinhada borda, centra a entrada de dados alinhada

• LDM, UDM para escrevem a máscara somente (x16)

• Os DM para escrevem a máscara somente (x4, x8)

• O automóvel & o auto refrescam

• 7.8us refrescam o intervalo (8K/64ms refrescam)

• A explosão do máximo refresca o ciclo: 8

• pacote Pb-livre de 66pin TSOP II

• RoHS complacente

Descrição geral

O K4H560438H/K4H560838H/K4H561638H são 268.435.456 bocados da GOLE síncrono dobro da taxa de dados organizada como as palavras 4x 16.777.216/4x 8.388.608/4x 4.194.304 por 4/8/16bits, fabricado com tecnologia do CMOS do elevado desempenho do ′ s de SAMSUNG. As características síncronos com estroboscópio dos dados permitem extremamente o elevado desempenho até 400Mb/s pelo pino. As transações do I/O são possíveis em ambas as bordas de DQS. A escala de frequências de funcionamento, o comprimento programável da explosão e as latências programáveis permitem que o dispositivo seja útil para uma variedade de aplicações de sistema da memória do elevado desempenho.

Avaliação máxima absoluta

Nota:

Dano permanente do dispositivo pode ocorrer se as AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS são excedidas.

A operação funcional deve ser restringida para recomendar a condição da operação.

A exposição à tensão mais altamente do que recomendada por períodos de tempo prolongados podia afetar a confiança do dispositivo.

Dimensão física do pacote

Oferta conservada em estoque (venda quente)