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Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MissSharon Yang
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Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :FGH40N60SMD
Lugar de origem :Fábrica original
Quantidade de ordem mínima :20pcs
Termos do pagamento :T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :8500PCS
Tempo de entrega :dia 1
Detalhes de empacotamento :contacte-me por favor para detalhes
Coletor à tensão do emissor :600 V
Porta à tensão do emissor :± 20 V
Corrente de coletor pulsada :120 A
Corrente dianteira máxima pulsada do diodo :120 A
Temperatura de junção de funcionamento :-55 a +175℃
A temperatura de armazenamento :-55 a +175℃
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FGH40N60SMDF

600V, parada de campo 40A IGBT

 

Características

• Temperatura de junção máxima: TJ =175℃

• Coeficiente positivo de Temperaure para o funcionamento paralelo fácil

• Capacidade atual alta

• Baixa tensão de saturação: VCE(sentado) =1.9V (tipo.) @ IC = 40A

• Impedância alta da entrada

• Interruptor rápido

• Aperte a distribuição do parâmetro

• RoHS complacente

 

Aplicações

• Inversor solar, UPS, SMPS, PFC

• Aquecimento de indução

 

Descrição geral

Usando a tecnologia nova da parada de campo IGBT, a nova série de Fairchild de parada de campo IGBTs oferece o desempenho o melhor para as aplicações solares do inversor, do UPS, do SMPS, do IH e do PFC onde a baixas condução e perdas do interruptor são essenciais.

 

Avaliações máximas absolutas

Símbolo Descrição Avaliações Unidades
VCES Coletor à tensão do emissor 600 V
VGES Porta à tensão do emissor ± 20 V
MIMC Corrente de coletor @ TC = 25℃ 80 A
Corrente de coletor @ TC = 100℃ 40 A
MIMCM(1) Corrente de coletor pulsada 120 A
MIMF Corrente dianteira @ T do diodoC = 25℃ 40 A
Corrente dianteira @ T do diodoC = 100℃ 20 A
MIMFM(1) Corrente dianteira máxima pulsada do diodo 120 A
PD Dissipação de poder máxima @ TC = 25℃ 349 W
Dissipação de poder máxima @ TC = 100℃ 174 W
TJ Temperatura de junção de funcionamento -55 a +175
Tstg Variação da temperatura do armazenamento -55 a +175
TL

Temp máximo da ligação. para finalidades de solda,

1/8" do argumento por 5 segundos

300

Notas: 1: Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

 

Módulo de poder do mosfet IGBT do poder do st do módulo de poder do Mosfet de FGH40N60SMD

 

 

 

Oferta conservada em estoque (venda quente)

Número da peça. Quantidade Tipo D/C Pacote
EL817B-F 12000 EL 16+ MERGULHO
EL817C-F 12000 EVERLIGHT 16+ MERGULHO
EL817S (A) (TA) - F 68000 EVERLIGHT 12+ SOP-4
EM639165TS-6G 7930 ETRONTECH 15+ TSOP-54
EM63A165TS-6G 13467 ETRONTECH 14+ TSOP-54
EM78P459AKJ-G 9386 Compatibilidade electrónica 15+ DIP-24
EMI2121MTTAG 5294 EM 15+ DFN
ENC28J60-I/SO 7461 MICROCHIP 16+ SOP-28
EP1C3T144C8N 3452 ALTERA 13+ QFP144
EP3C5F256C8N 2848 ALTERA 15+ BGA
EP3C80F780I7N 283 ALTERA 16+ BGA
EP9132 3575 EXPLORE 16+ TQFP-80
EPC1213LC-20 3527 ALT 03+ PLCC20
EPC1213PC8 8853 ALTERA 95+ DIP-8
EPC2LI20N 2794 ALTERA 13+ PLCC
EPM7032SLC44-10N 2472 ALTERA 13+ PLCC44
EPM7064SLC44-10N 2498 ATLERA 15+ PLCC
EPM7128SQC100-10N 1714 ALTERA 12+ QFP
ERA-1SM+ 3210 MINI 15+ SOT-86
ES1B-E3/61T 18000 VISHAY 14+ DO-214AC
ES2G-E3/52T 12000 VISHAY 16+ SMB
ES2J-E3/52T 12000 VISHAY 13+ DO-214AA
ES3J 12000 FSC 15+ SMC
ES56031S 3498 ES 16+ SOP-24
ESAD92-02 6268 FUIJ 16+ TO-3P
ESD112-B1-02EL E6327 23000 INFINEON 15+ TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G 9000 EM 13+ SOD-523
ESD5Z7.0T1G 12000 EM 16+ SOD-523
ESDA6V1SC5 51000 ST 15+ SOT23-5
ESP-12E 3991 AI 16+ SMT

 

 

 

 

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