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disposição ambarina do diodo emissor de luz de 1200mA RGB, 150W disposições do diodo emissor de luz do pacote da ESPIGA do quadrilátero RGBW
Características:
Especificações de produto:
Avaliações máximas absolutas em Ta=25℃
Parâmetro | Símbolo | Valor (máximo) | Unidade | |
Temperatura de junção do diodo emissor de luz | Tj | 150 | ℃ | |
Dissipação de poder | Pd | R | 30000 | mW |
G | 40800 | |||
B | 40800 | |||
Y | 30000 | |||
Corrente dianteira contínua | MIMF | 1200 | miliampère | |
ElectrostaticDischarge Threshoid | ESD | 2000 | V |
Características em If=1200mA (Ta=25°C):
Parâmetro | Símbolo | Emitir-se Cor |
Valores | Unidades | ||||
Mínimo. | Típico | Máximo. | ||||||
Fluxo luminoso | φV | R | 1300 | 1350 | - | lm | ||
G | 2400 | 2550 | - | |||||
B | 700 | 750 | - | |||||
Y | 1050 | 1150 | - | |||||
Tensão dianteira | Vf | R | 23 | - | 25 | V | ||
G | 32 | - | 34 | |||||
B | 32 | - | 34 | |||||
Y | 23 | - | 25 | |||||
Comprimento de onda dominante | λd | R | 618 | - | 628 | nanômetro | ||
G | 522 | - | 530 | |||||
B | 458 | - | 468 | |||||
Y | 590 | - | 595 | |||||
Ângulo de visão | 2θ1/2 | 120 | Grau. |
Aplicações:
Dimensão do pacote: