Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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EP automotivo do Pin TDSON do MOSFET N CH 80V 11A do poder superior de BSC123N08NS3G 8

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrLarry Fan
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EP automotivo do Pin TDSON do MOSFET N CH 80V 11A do poder superior de BSC123N08NS3G 8

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Number modelo :BSC123N08NS3G
Lugar de origem :CHINA
MPN :BSC123N08NS3G
MFR :Infineon
Categoria :MOSFET
Tamanho :1*5.15*5.9mm
Quantidade de ordem mínima :Qty do pacote
Detalhes de empacotamento :fita e carretel
Prazo de entrega :2 semanas
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :1000+
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EP automotivo do MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON do transporte de BSC123N08NS3G Infineon

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
SVHC Sim
SVHC excede o ponto inicial Sim
Automotivo Desconhecido
PPAP Desconhecido
Categoria de produto MOSFET do poder
Tecnologia de processamento OptiMOS
Configuração Fonte tripla do único dreno do quadrilátero
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 80
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±20
Dreno contínuo máximo (a) atual 11
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 12.3@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 19@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 19
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 1430@40V
Dissipação de poder máxima (mW) 2500
Tempo de queda típico (ns) 4
Tempo de elevação típico (ns) 18
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 19
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 12
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Pin Count 8
Nome do pacote padrão FILHO
Pacote do fornecedor EP DE TDSON
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 1
Comprimento do pacote 5,15
Largura do pacote 5,9
O PWB mudou 8
Forma da ligação Nenhuma ligação
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