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| UE RoHS | Complacente com isenção |
| ECCN (E.U.) | EAR99 |
| Estado da parte | Ativo |
| SVHC | Sim |
| SVHC excede o ponto inicial | Sim |
| Automotivo | Desconhecido |
| PPAP | Desconhecido |
| Categoria de produto | MOSFET do poder |
| Tecnologia de processamento | OptiMOS |
| Configuração | Fonte tripla do único dreno do quadrilátero |
| Modo do canal | Realce |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
| Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 80 |
| Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
| Dreno contínuo máximo (a) atual | 11 |
| Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 12.3@10V |
| Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 19@10V |
| Carga típica @ 10V da porta (nC) | 19 |
| Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 1430@40V |
| Dissipação de poder máxima (mW) | 2500 |
| Tempo de queda típico (ns) | 4 |
| Tempo de elevação típico (ns) | 18 |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 19 |
| Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 12 |
| Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
| Pin Count | 8 |
| Nome do pacote padrão | FILHO |
| Pacote do fornecedor | EP DE TDSON |
| Montagem | Montagem de superfície |
| Altura do pacote | 1 |
| Comprimento do pacote | 5,15 |
| Largura do pacote | 5,9 |
| O PWB mudou | 8 |
| Forma da ligação | Nenhuma ligação |