Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Pin 4 SOT-223 T/R automotivo do Mosfet 100V 1A do canal de BSP322PH6327XTSA1 P

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrLarry Fan
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Pin 4 SOT-223 T/R automotivo do Mosfet 100V 1A do canal de BSP322PH6327XTSA1 P

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Number modelo :BSP322PH6327XTSA1
Lugar de origem :CHINA
MPN :BSP322PH6327XTSA1
MFR :Infineon
Categoria :MOSFET
Tamanho :6.5*3.5*1.6mm
Quantidade de ordem mínima :Qty do pacote
Detalhes de empacotamento :fita e carretel
Prazo de entrega :2 semanas
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :1000+
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MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin automotivo do transporte de BSP322PH6327XTSA1 Infineon (3+Tab) SOT-223 T/R

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
Automotivo Sim
PPAP Desconhecido
Categoria de produto Sinal pequeno
Configuração Único dreno duplo
Tecnologia de processamento SIPMOS
Modo do canal Realce
Tipo de canal P
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 100
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 1
Dreno contínuo máximo (a) atual 1
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 800@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 12.4@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 12,4
Porta típica para drenar a carga (nC) 4,3
Porta típica à carga da fonte (nC) 0,8
Carga reversa típica da recuperação (nC) 84
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 280@25V
Capacidade de saída típica (PF) 70
Dissipação de poder máxima (mW) 1800
Tempo de queda típico (ns) 8,3
Tempo de elevação típico (ns) 4,3
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 21,2
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 4,6
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Empacotamento Fita e carretel
Pin Count 4
Nome do pacote padrão ÉBRIO
Pacote do fornecedor SOT-223
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 1,6
Comprimento do pacote 6,5
Largura do pacote 3,5
O PWB mudou 3
Aba Aba
Forma da ligação Gaivota-asa
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