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UE RoHS | Complacente com isenção |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
SVHC | Sim |
SVHC excede o ponto inicial | Sim |
Automotivo | Não |
PPAP | Não |
Categoria de produto | MOSFET do poder |
Configuração | Único |
Tecnologia de processamento | OptiMOS 3 |
Modo do canal | Realce |
Tipo de canal | N |
Número de elementos pela microplaqueta | 1 |
Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 250 |
Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±20 |
Dreno contínuo máximo (a) atual | 64 |
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 20@10V |
Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 64@10V |
Carga típica @ 10V da porta (nC) | 64 |
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 5340@100V |
Dissipação de poder máxima (mW) | 300000 |
Tempo de queda típico (ns) | 12 |
Tempo de elevação típico (ns) | 20 |
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 45 |
Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 18 |
Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 175 |
Empacotamento | Fita e carretel |
Pin Count | 3 |
Nome do pacote padrão | TO-263 |
Pacote do fornecedor | D2PAK |
Montagem | Montagem de superfície |
Altura do pacote | 4,57 (máximo) |
Comprimento do pacote | 10,31 (máximo) |
Largura do pacote | 9,45 (máximo) |
O PWB mudou | 2 |
Aba | Aba |