Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrLarry Fan
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MOSFET do poder superior IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R do Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

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Number modelo :IPB200N25N3
Lugar de origem :CHINA
MPN :IPB200N25N3
MFR :Infineon
Categoria :MOSFET
Tamanho :4.57*10.31*9.45mm
Quantidade de ordem mínima :Qty do pacote
Detalhes de empacotamento :fita e carretel
Prazo de entrega :2 semanas
Termos do pagamento :T/T
Capacidade da fonte :1000+
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MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin do transporte de IPB200N25N3 Infineon (2+Tab) D2PAK T/R

Especificações técnicas do produto

UE RoHS Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Ativo
SVHC Sim
SVHC excede o ponto inicial Sim
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto MOSFET do poder
Configuração Único
Tecnologia de processamento OptiMOS 3
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 250
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±20
Dreno contínuo máximo (a) atual 64
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) 20@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 64@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 64
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 5340@100V
Dissipação de poder máxima (mW) 300000
Tempo de queda típico (ns) 12
Tempo de elevação típico (ns) 20
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 45
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 18
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 175
Empacotamento Fita e carretel
Pin Count 3
Nome do pacote padrão TO-263
Pacote do fornecedor D2PAK
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 4,57 (máximo)
Comprimento do pacote 10,31 (máximo)
Largura do pacote 9,45 (máximo)
O PWB mudou 2
Aba Aba
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